GATE DRIVE CIRCUIT, INSULATED GATE DRIVER, AND GATE DRIVE METHOD

• Main Authors: CHOE, Songbaek, TABATA, Osamu, NEGORO, Noboru, NAGATOMI, Yuta, ENOMOTO, Shingo
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 17.06.2021
• Subjects: BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY; ELECTRICITY; PULSE TECHNIQUE

A gate drive circuit (100) that drives a power device by controlling charging and discharging of the gate capacity of the power device, the gate drive circuit (100) comprising: a first semiconductor switch (11) that charges the gate capacity by establishing a conductive connection according to a first control signal (S1); a second semiconductor switch (21) that discharges the gate capacity by establishing a conductive connection according to a second control signal (S2); and a slew rate control circuit (109) that controls the slew rate during discharging, the slew rate control circuit (109) being connected between a gate of the power device and a ground wire, and the gate drive circuit (100) moreover being such that the slew rate control circuit (109) has a capacitor (C2) and a third semiconductor switch (22) connected in series, and the third semiconductor switch (22) establishes a conductive connection according to the second control signal (S2). La présente invention concerne un circuit d'attaque de grille (100) qui commande un dispositif d'alimentation par commande de la charge et de la décharge de la capacité de grille du dispositif d'alimentation, le circuit d'attaque de grille (100) comprenant : un premier commutateur à semi-conducteur (11) qui charge la capacité de grille en établissant une connexion conductrice en fonction d'un premier signal de commande (S1) ; un deuxième commutateur à semi-conducteur (21) qui décharge la capacité de grille en établissant une connexion conductrice en fonction d'un second signal de commande (S2) ; et un circuit de commande de vitesse de balayage (109) qui commande la vitesse de balayage pendant la décharge, le circuit de commande de vitesse de balayage (109) étant connecté entre une grille du dispositif d'alimentation et un fil de masse, et le circuit d'attaque de grille (100) étant en outre tel que le circuit de commande de vitesse de balayage (109) comporte un condensateur (C2) et un troisième commutateur à semi-conducteur (22) connectés en série, et que le troisième commutateur à semi-conducteur (22) établit une connexion conductrice en fonction du second signal de commande (S2). パワーデバイスのゲート容量の充電および放電を制御することによりパワーデバイスを駆動するゲート駆動回路（１００）は、第１の制御信号（Ｓ１）に従って導通することによりゲート容量を充電する第１の半導体スイッチ（１１）と、第２の制御信号（Ｓ２）に従って導通することによりゲート容量を放電する第２の半導体スイッチ（２１）と、パワーデバイスのゲートと接地線との間に接続され、放電時のスルーレートを制御するスルーレート制御回路（１０９）と、を備え、スルーレート制御回路（１０９）は、直列に接続されたキャパシタ（Ｃ２）と第３の半導体スイッチ（２２）とを有し、第３の半導体スイッチ（２２）は、第２の制御信号（Ｓ２）に従って導通する。