SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND SEMICONDUCTOR LASER DEVICE

• Main Authors: WATATANI Chikara, NISHIDA Takehiro, MIYASHITA Motoharu
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 10.06.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; DEVICES USING STIMULATED EMISSION; ELECTRICITY

This semiconductor laser element is provided with: a semiconductor layer comprising an n-type clad layer (102) which is formed on a surface of an n-type GaAs substrate (101), an active layer (103) which is formed on a surface of the n-type clad layer (102), a p-type clad layer (104) which has ridges (104a, 105a) formed on a surface of the active layer (103), and a p-type contact layer (105) which is formed on a surface of the p-type clad layer (104); insulating films (150a, 150b) which have openings on the surface of the p-type contact layer (105a) and cover a surface of the semiconductor layer; and a conductive layer which is connected to the p-type contact layer (105a) through the openings and is formed on the surface of the insulating layer (150b) to a flat part provided to the semiconductor layer so as to be adjacent to the ridges. The conductive layer has a projecting lateral wall provided to the flat part close to the ridges, and the lateral wall limits solder spreading to the vicinity of a non-light emitting region to thereby prevent electrical short-circuiting between elements. La présente invention concerne un élément laser à semi-conducteur comprenant : une couche semi-conductrice comprenant une couche de revêtement de type n (102) qui est formée sur une surface d'un substrat de GaAs de type n (101), une couche active (103) qui est formée sur une surface de la couche de revêtement de type n (102), une couche de revêtement de type p (104) qui présente des stries (104a, 105a) formées sur une surface de la couche active (103), et une couche de contact de type p (105) qui est formée sur une surface de la couche de revêtement de type p (104) ; des films isolants (150a, 150b) qui présentent des ouvertures sur la surface de la couche de contact de type p (105a) et recouvrent une surface de la couche semi-conductrice ; et une couche conductrice qui est reliée à la couche de contact de type p (105a) par les ouvertures et formée sur la surface de la couche isolante (150b) sur une partie plate disposée sur la couche semi-conductrice de manière à être adjacente aux stries. La couche conductrice a une paroi latérale en saillie disposée sur la partie plate à proximité des stries, et la paroi latérale limite l'étalement de soudure au voisinage d'une région non électroluminescente pour ainsi empêcher un court-circuit électrique entre des éléments. ｎ型ＧａＡｓ基板（１０１）の表面に形成されたｎ型クラッド層（１０２）、ｎ型クラッド層（１０２）の表面に形成された活性層（１０３）、活性層（１０３）の表面に形成されたリッジ部（１０４ａ、１０５ａ）を有するｐ型クラッド層（１０４）およびｐ型クラッド層（１０４）の表面に形成されたｐ型コンタクト層（１０５）により構成された半導体層と、前記半導体層の表面を覆い、ｐ型コンタクト層（１０５ａ）の表面に開口部を有する絶縁膜（１５０ａ、１５０ｂ）と、前記開口部を介してｐ型コンタクト層（１０５ａ）に接続され、前記リッジ部に隣接する前記半導体層に設けられた平坦部まで絶縁層（１５０ｂ）の表面に形成された導電層とを備え、前記導電層には、前記リッジ部寄りの前記平坦部に凸状の側壁が設けられ、側壁が半田の拡がりを非発光領域の近傍に留めることで素子間の電気的短絡を防ぐ。