METHOD FOR FILLING VIA HOLE OF CIRCUIT BOARD AND CIRCUIT BOARD MANUFACTURED USING SAME

• Main Authors: KIM, Dea Geun, KIM, Jung Il, CHUNG, Bo Mook, CHUN, Sung Wook
• Format: Patent
• Language: English; French; Korean
• Published: 03.06.2021
• Subjects: CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS; PRINTED CIRCUITS

The present invention provides a method for filling a via hole of a circuit board with a conductive material, comprising the steps of: forming a via hole in a board; forming an electroless plating layer with a predetermined thickness on the inner surface of the via hole by means of electroless plating; performing bridge plating such that a bridge is formed in a partial area inside the via hole by means of electroplating that applies a pulse waveform to the electroless plating layer; and performing via hole fill plating in the via hole on which the bridge plating has been formed by electroplating, wherein the bridge plating and the via hole fill plating are performed using the same plating solution as each other. La présente invention concerne un procédé de remplissage d'un trou d'interconnexion d'une carte de circuit imprimé à l'aide d'un matériau conducteur, comprenant les étapes consistant : à former un trou d'interconnexion dans une carte ; à former une couche de dépôt autocatalytique d'une épaisseur prédéterminée sur la surface interne du trou d'interconnexion au moyen d'un dépôt autocatalytique ; à réaliser un dépôt de pont de telle sorte qu'un pont est formé dans une zone partielle à l'intérieur du trou d'interconnexion au moyen d'un dépôt électrolytique qui applique une forme d'impulsion à la couche de dépôt autocatalytique ; et à réaliser un dépôt de remplissage de trou d'interconnexion dans le trou d'interconnexion sur lequel le dépôt de pont a été formé par dépôt électrolytique, le dépôt de pont et le dépôt de remplissage de trou d'interconnexion étant tous deux réalisés à l'aide d'une même solution de dépôt. 본 발명은 회로기판의 관통홀 내부에 전도성 물질을 충진하는 방법으로서, 기판에 관통홀을 형성하는 단계와, 무전해 도금으로 상기 관통홀 내부 표면에 소정의 두께로 무전해 도금층을 형성하는 단계와, 상기 무전해 도금층에 펄스 파형을 인가하는 전해 도금으로 상기 관통홀 내부 일부 영역에서 브릿지가 생성되도록 브릿지 도금을 수행하는 단계와, 전해 도금으로 상기 브릿지 도금이 이루어진 관통홀에 관통홀 충진 도금을 수행하는 단계를 포함하고, 상기 브릿지 도금과 상기 관통홀 충진 도금은 동일한 도금액을 이용하여 수행되는 것을 특징으로 한다.