RADAR DEVICE

• Main Authors: SHINTAI Akira, MUNAOKA Atsushi, MATSUNOSHITA Masahiro, TAINAKA Yusuke, HIRATA Shuji
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 03.06.2021
• Subjects: ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES; ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION ORRERADIATION OF RADIO WAVES; MEASURING; PHYSICS; RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; SEMICONDUCTOR DEVICES; TESTING

This radar device (1) comprises: a base material (2) that has a plurality of high-frequency conductor layers (21, 22) on a front side surface (201) thereof; a semiconductor component (3) that is in contact with the high-frequency conductor layers (21, 22) via a conductive member; and an adhesive agent (4) that allow the semiconductor component (3) to adhere to the front side surface (201) of the base material (2). All of the plurality of high-frequency conductor layers (21, 22) are provided in the front side surface (201) by being at least partially bent in a plane of the front side surface (201), from inner end portions (211, 221) facing the bottom surface (301) of the semiconductor component (3) to outer end portions (212, 222) located further in a first direction (D1) than a first side surface (302A) of the semiconductor component (3) in the first direction (D1). The adhesive agent (4) is in contact with the front side surface (201) excluding formation regions of the plurality of high-frequency connector layers (21, 22) and side surfaces (302A, 302B) of the semiconductor component (3). La présente invention concerne un dispositif radar (1) qui comprend : un matériau de base (2) qui comprend une pluralité de couches conductrices haute fréquence (21, 22) sur une surface latérale avant (201) de celui-ci ; un composant semi-conducteur (3) qui est en contact avec les couches conductrices haute fréquence (21, 22) par l'intermédiaire d'un élément conducteur ; et un agent adhésif (4) qui permet au composant semi-conducteur (3) d'adhérer à la surface latérale avant (201) du matériau de base (2). La totalité de la pluralité de couches conductrices haute fréquence (21, 22) sont disposées dans la surface latérale avant (201) en étant au moins partiellement pliées dans un plan de la surface latérale avant (201), à partir de parties d'extrémité internes (211, 221) faisant face à la surface inférieure (301) du composant semi-conducteur (3) jusqu'à des parties d'extrémité externes (212, 222) situées plus loin dans une première direction (D1) qu'une première surface latérale (302A) du composant semi-conducteur (3) dans la première direction (D1). L'agent adhésif (4) est en contact avec la surface latérale avant (201) à l'exclusion des régions de formation de la pluralité de couches de connecteur haute fréquence (21, 22) et des surfaces latérales (302A, 302B) du composant semi-conducteur (3). レーダ装置（１）は、表側面（２０１）に複数の高周波導体層（２１，２２）が設けられた基材（２）と、高周波導体層（２１，２２）に導電部材を介して接触する半導体部品（３）と、半導体部品（３）を基材（２）の表側面（２０１）に接着する接着剤（４）とを備える。複数の高周波導体層（２１，２２）のすべては、少なくともいずれかが表側面（２０１）の平面内において屈曲することにより、表側面（２０１）における、半導体部品（３）の底面（３０１）と対向する内側端部（２１１，２２１）から、半導体部品（３）の第１方向（Ｄ１）に向けられた第１側面（３０２Ａ）よりも第１方向（Ｄ１）の側に位置する外側端部（２１２，２２２）まで設けられている。接着剤（４）は、複数の高周波導体層（２１，２２）の形成部位を除く表側面（２０１）と、半導体部品（３）の側面（３０２Ａ，３０２Ｂ）とに接触している。