CORE-SHELL-TYPE QUANTUM DOT AND METHOD FOR MANUFACTURING CORE-SHELL-TYPE QUANTUM DOT
The present invention is a core-shell-type quantum dot containing: a semiconductor nanocrystal core that contains at least In and P and that comprises Group III-V elements as constituent elements; and a single or a plurality of semiconductor nanocrystal shells that cover the semiconductor nanocrysta...
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Format | Patent |
Language | English French Japanese |
Published |
03.06.2021
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Summary: | The present invention is a core-shell-type quantum dot containing: a semiconductor nanocrystal core that contains at least In and P and that comprises Group III-V elements as constituent elements; and a single or a plurality of semiconductor nanocrystal shells that cover the semiconductor nanocrystal core and that comprise Group II-VI elements as constituent elements, wherein the core-shell-type quantum dot has a buffer layer between the semiconductor nanocrystal core and the semiconductor nanocrystal shell, said buffer layer containing a semiconductor nanocrystal that comprises Group II-V elements as constituent elements. This invention provides a quantum dot using a Group III-V semiconductor nanocrystal as a core thereof and having enhanced fluorescence luminous efficiency.
La présente invention concerne une boîte quantique de type noyau-enveloppe qui contient : un noyau de nanocristal semi-conducteur qui contient au moins de l'In et du P et qui comprend des éléments des groupes III à V en tant qu'éléments constitutifs ; une seule ou une pluralité d'enveloppes de nanocristal semi-conducteur qui recouvrent le noyau de nanocristal semi-conducteur et qui comprennent des éléments des groupes II à VI en tant qu'éléments constitutifs, la boîte quantique de type noyau-enveloppe ayant une couche tampon entre le noyau de nanocristal semi-conducteur et l'enveloppe de nanocristal semi-conducteur, ladite couche tampon contenant un nanocristal semi-conducteur qui comprend des éléments des groupes II à V en tant qu'éléments constitutifs. La présente invention concerne une boîte quantique qui utilise un nanocristal semi-conducteur des groupes III à V en tant que noyau de ce dernier et qui possède une efficacité lumineuse de fluorescence améliorée.
本発明は、少なくともIn及びPを含み、第III-V族元素を構成元素とする半導体ナノ結晶コアと、前記半導体ナノ結晶コアを被覆する、第II-VI族元素を構成元素とする単一又は複数の半導体ナノ結晶シェルとを含むコアシェル型量子ドットであって、前記半導体ナノ結晶コアと前記半導体ナノ結晶シェルとの間に、第II-V族元素を構成元素とする半導体ナノ結晶を含むバッファー層を有するコアシェル型量子ドットである。これにより、第III-V族半導体ナノ結晶をコアとして用いた量子ドットであって、蛍光発光効率が向上された量子ドットが提供される。 |
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Bibliography: | Application Number: WO2020JP37308 |