COMPOSITION FOR FORMING UNDERLAYER FILM, METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN, AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE

• Main Authors: FUKUHARA Toshiaki, KAMIMURA Sou, KAWABATA Takeshi
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 27.05.2021
• Subjects: APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR; CINEMATOGRAPHY; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; PHOTOGRAPHY; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES; PHYSICS

Provided is a composition which is for forming an underlayer and can form an underlayer film having excellent surface flatness and solvent resistance. Also provided are a method for forming a resist pattern and a method for manufacturing an electronic device, relating to the composition for forming an underlayer film. The composition for forming an underlayer film is used to form an underlayer film which is formed in an underlayer of a resist film and includes a silicon atom-containing compound and a halogen-based solvent, wherein the content of the halogen-based solvent is 1.0 mass ppb to 50.0 mass ppm with respect to the total mass of the composition for forming an underlayer film. L'invention concerne une composition qui est destinée à former une sous-couche et qui peut former un film de sous-couche ayant une excellente planéité de surface et une excellente résistance aux solvants. L'invention concerne également un procédé de formation de motif de réserve et un procédé de fabrication d'un dispositif électronique associés à la composition de formation de film de sous-couche. La composition de formation de film de sous-couche est utilisée pour former un film de sous-couche qui est formé dans une sous-couche d'un film de réserve et comprend un composé contenant un atome de silicium et un solvant à base d'halogène, la teneur du solvant à base d'halogène étant de 1,0 ppb en masse à 50,0 ppm en masse par rapport à la masse totale de la composition de formation de film de sous-couche. 表面平坦性及び耐溶剤性に優れる下層膜を形成できる下層形成用組成物を提供する。また、上記下層膜形成用組成物に関する、レジストパターン形成方法、及び、電子デバイスの製造方法を提供する。上記下層膜形成用組成物はレジスト膜の下層に形成される下層膜を形成するために用いられ、ケイ素原子含有化合物、及び、ハロゲン系溶剤を含み、上記ハロゲン系溶剤の含有量が、上記下層膜形成用組成物の全質量に対して、１．０質量ｐｐｂ以上５０．０質量ｐｐｍ以下である。