SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND IMAGE-CAPTURING DEVICE

• Main Author: KIMIZUKA Naohiko
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 20.05.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Provided are a semiconductor device, a method for manufacturing the semiconductor device, and an image-capturing device that are capable of suppressing variations in transistor characteristics. The semiconductor device comprises: a semiconductor substrate; and a field effect transistor provided on a first principal surface-side of the semiconductor substrate. The field effect transistor has: a semiconductor region in which a channel is formed; a gate electrode that covers the semiconductor region; and a gate insulating film disposed between the semiconductor region and the gate electrode. The semiconductor region has: a top surface; and a first side surface located on one side of the top surface in the gate-width direction of the gate electrode. The gate electrode has: a first part that faces the top surface with the gate insulating film interposed therebetween; and a second part that faces the first side surface with the gate insulating film interposed therebetween. A first end surface of the first part and a second end surface of the second part are flush at least on one end of the gate electrode in the gate-length direction. L'invention concerne un dispositif semi-conducteur, un procédé destiné à fabriquer le dispositif semi-conducteur, et un dispositif de capture d'images qui peuvent supprimer des variations des caractéristiques de transistors. Le dispositif semi-conducteur comprend : un substrat semi-conducteur ; et un transistor à effet de champ disposé sur un premier côté de surface principale du substrat semi-conducteur. Le transistor à effet de champ a : une zone semi-conductrice dans laquelle est formé un canal ; une électrode de grille qui recouvre la zone semi-conductrice ; et une pellicule isolante de grille disposée entre la zone semi-conductrice et l'électrode de grille. La zone semi-conductrice a : une surface supérieure ; et une première surface latérale située sur un côté de la surface supérieure dans la direction de la largeur de grille de l'électrode de grille. L'électrode de grille a : une première partie qui fait face à la surface supérieure, la pellicule isolante de grille étant intercalée entre elles ; et une deuxième partie qui fait face à la première surface latérale, la pellicule isolante de grille étant intercalée entre elles. Une première surface d'extrémité de la première partie et une deuxième surface d'extrémité de la deuxième partie sont au même niveau au moins sur une extrémité de l'électrode de grille dans la direction de la longueur de grille. トランジスタ特性のばらつきを抑制することができる半導体装置及び半導体装置の製造方法、撮像装置を提供する。半導体装置は、半導体基板と、半導体基板の第１主面側に設けられた電界効果トランジスタと、を備える。電界効果トランジスタは、チャネルが形成される半導体領域と、半導体領域を覆うゲート電極と、半導体領域とゲート電極との間に配置されたゲート絶縁膜と、を有する。半導体領域は、上面と、ゲート電極のゲート幅方向において上面の一方の側に位置する第１側面と、を有する。ゲート電極は、上面とゲート絶縁膜を介して向かい合う第１部位と、第１側面とゲート絶縁膜を介して向かい合う第２部位と、を有する。ゲート電極のゲート長方向の少なくとも一端において、第１部位の第１端面と第２部位の第２端面は面一である。