PHASE CHANGE MEMORY AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

• Main Authors: LIU, Chun Chih, CHIU, Hung-Yu, LIAO, Yu Cheng, LEE, Yi Cheng
• Format: Patent
• Language: Chinese; English; French
• Published: 20.05.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A phase change memory (1) comprises a lower electrode (20), a heating component (30), a phase change layer (50), and an upper electrode (70). The heating component (30) is coupled to the lower electrode (20). The phase change layer (50) is formed above the heating component (30), and is coupled to the heating component (30). The upper electrode (70) is disposed in a recess (510) of the phase change layer (50), and is coupled to the phase change layer (50). Une mémoire à changement de phase (1) comprend une électrode inférieure (20), un composant chauffant (30), une couche à changement de phase (50), et une électrode supérieure (70). Le composant chauffant (30) est couplé à l'électrode inférieure (20). La couche à changement de phase (50) est formée au-dessus du composant chauffant (30), et est couplée au composant chauffant (30). L'électrode supérieure (70) est disposée dans un évidement (510) de la couche à changement de phase (50), et est couplée à la couche à changement de phase (50). 一种相变化存储器（1），包括下电极（20）