SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT

• Main Authors: TAKAHASHI, Kunimasa, FURUKAWA, Hidetoshi, YOSHIDA, Shinji
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 14.05.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DEVICES USING STIMULATED EMISSION; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SEMICONDUCTOR DEVICES; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

A semiconductor light-emitting element (10) comprising: a light-emitting layer (15) formed from a group III nitride semiconductor; an electron barrier layer (18) that is disposed above the light-emitting layer (15) and that is formed from the group III nitride semiconductor including Al; and a p-type clad layer (19) that is disposed in contact with the electron barrier layer (18) above the electron barrier layer (18), wherein the electron barrier layer (18) and the p-type clad layer (19) each include Mg as a dopant, and the p-type clad layer (19) includes, in order from the electron barrier layer (18) side, a high carbon concentration region including carbon and a low carbon concentration region having a lower carbon concentration than the high carbon concentration region. L'invention concerne un élément électroluminescent à semi-conducteurs (10) comprenant : une couche électroluminescente (15) formée à partir d'un semi-conducteur au nitrure du groupe III ; une couche barrière d'électrons (18) qui est disposée au-dessus de la couche électroluminescente (15) et qui est formée à partir du semi-conducteur au nitrure du groupe III comprenant de l'Al ; et une couche de revêtement de type p (19) qui est disposée en contact avec la couche barrière d'électrons (18) au-dessus de la couche barrière d'électrons (18), la couche barrière d'électrons (18) et la couche de revêtement de type p (19) comprenant chacune Mg en tant que dopant, et la couche de revêtement de type p (19) comprend, dans l'ordre à partir du côté de la couche barrière d'électrons (18), une région à forte concentration en carbone comprenant du carbone et une région à faible concentration en carbone ayant une concentration en carbone inférieure à celle de la région à forte concentration en carbone. 半導体発光素子（１０）は、III族窒化物半導体からなる発光層（１５）と、発光層（１５）の上方に配置され、Ａｌを含むIII族窒化物半導体からなる電子障壁層（１８）と、電子障壁層（１８）の上方において、電子障壁層（１８）と接して配置されるｐ型クラッド層（１９）とを備え、電子障壁層（１８）及びｐ型クラッド層（１９）は、ドーパントとしてＭｇを含み、ｐ型クラッド層（１９）は、電子障壁層（１８）側から順に、炭素を含む高炭素濃度領域と、高炭素濃度領域より炭素濃度が低い低炭素濃度領域とを含む。