CHIP TEMPERATURE SENSOR FOR SEMICONDUCTOR CHIP, AND FLOW RATE MEASUREMENT DEVICE
This invention addresses the problem of providing a chip temperature sensor that is for a semiconductor chip and is less susceptible to the influence of mounting stress. Provided on a single semiconductor chip are a first resistance element that has a first impurity concentration and a second resist...
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Format | Patent |
Language | English French Japanese |
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29.04.2021
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Summary: | This invention addresses the problem of providing a chip temperature sensor that is for a semiconductor chip and is less susceptible to the influence of mounting stress. Provided on a single semiconductor chip are a first resistance element that has a first impurity concentration and a second resistance element that is connected in series with the first resistance element and has a second impurity concentration different from the first impurity concentration. The angle between the direction in which current flows through the first resistance element and the angular direction within the chip surface of the semiconductor chip in which the piezoresistive coefficient of the semiconductor chip is minimized is larger than the angle between the direction in which current flows through the second resistance element and the angular direction within the chip surface of the semiconductor chip in which the piezoresistive coefficient of the semiconductor chip is minimized.
La présente invention a pour objet de fournir un capteur de température de puce destiné à une puce à semi-conducteur qui soit moins sensible à l'influence d'une contrainte de montage. Sur une puce à semi-conducteur unique sont disposés un premier élément de résistance présentant une première concentration d'impuretés et un second élément de résistance connecté en série avec le premier élément de résistance et présentant une seconde concentration d'impuretés différente de la première concentration d'impuretés. L'angle entre la direction dans laquelle le courant circule à travers le premier élément de résistance et la direction angulaire à l'intérieur de la surface de puce de la puce à semi-conducteur dans laquelle le coefficient piézorésistif de la puce à semi-conducteur est réduit au minimum est supérieur à l'angle entre la direction dans laquelle le courant circule à travers le second élément de résistance et la direction angulaire à l'intérieur de la surface de puce de la puce à semi-conducteur dans laquelle le coefficient piézorésistif de la puce à semi-conducteur est réduit au minimum.
本発明の課題は、実装応力の影響が小さい半導体チップのチップ温度センサを提供することである。 同一の半導体チップに、第1の不純物濃度を有する第1の抵抗素子と、前記第1の抵抗素子に直列接続され、前記第1の不純物濃度と異なる第2の不純物濃度を有する第2の抵抗素子と、を備え、前記第1の抵抗素子の電流の通電方向と前記半導体チップのピエゾ抵抗係数が極小となる前記半導体チップのチップ表面内の角度方向との角度が、前記第2の抵抗素子の電流の通電方向と前記半導体チップのピエゾ抵抗係数が極小となる前記半導体チップのチップ表面内の角度方向との角度よりも大きいことを特徴とする。 |
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Bibliography: | Application Number: WO2020JP35391 |