FILM FORMING METHOD AND FILM FORMING APPARATUS

• Main Authors: MUROTANI, Hiroshi, OHTAKI, Yoshiyuki, MIYAUCHI, Mitsuhiro, HASEGAWA, Tomokazu, MATSUDAIRA, Takayuki
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 22.04.2021
• Subjects: CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

The present invention: arranges at least a deposition material and a substrate (S) inside a film formation chamber (2a); sets a first region that includes the substrate (S) inside the film formation chamber (2a) to an atmosphere of 5.0 E-2 - 1.0 E + 2 Pa; sets a second region (B) that includes the deposition material inside the film formation chamber (2a) to an atmosphere of no more than 5.0 E-2 Pa; and, in this state, irradiates ions on to the substrate (S) and forms the deposition material into a film on the substrate (S) by using a vacuum deposition method. La présente invention : agence au moins un matériau de dépôt et un substrat (S) à l'intérieur d'une chambre de formation de film (2a) ; définit une première région qui comprend le substrat (S) à l'intérieur de la chambre de formation de film (2a) à une atmosphère de 5,0 E-2 à 1,0 E+2 Pa ; définit une deuxième région (B) qui comprend le matériau de dépôt à l'intérieur de la chambre de formation de film (2a) à une atmosphère ne dépassant pas 5,0 E-2 Pa ; et, dans cet état, irradie des ions sur le substrat (S) et forme le matériau de dépôt en un film sur le substrat (S) au moyen d'un procédé de dépôt sous vide. 成膜室（２ａ）の内部に少なくとも蒸着材料と基板（Ｓ）を設置し、成膜室（２ａ）の内部の基板（Ｓ）を含む第１領域（Ａ）を５．０Ｅ－２～１．０Ｅ＋２Ｐａの雰囲気に設定し、成膜室（２ａ）の内部の蒸着材料を含む第２領域（Ｂ）を５．０Ｅ－２Ｐａ以下の雰囲気に設定し、この状態で、基板（Ｓ）にイオンを照射し、真空蒸着法により基板（Ｓ）に蒸着材料を成膜する。