CELL CURRENT MEASUREMENT FOR THREE-DIMENSIONAL MEMORY

• Main Authors: KIM, Youn Cheul, MUI, Man Lung, OH, Jinyong
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 22.04.2021
• Subjects: ELECTRICITY; MEASURING; MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES; PHYSICS; TESTING

A method for measuring memory cell current of a three-dimensional memory includes applying a first test voltage to a source line pad of a peripheral circuitry of the 3D memory device, wherein the source line pad is electrically connected to a common source line of a 3D memory array of the 3D memory device, and the peripheral circuitry formed on a first substrate and the 3D memory array formed a second substrate are electrically connected through direct bonding. The method also includes applying a second test voltage to a bit line pad of the 3D memory array, wherein the bit line pad and the 3D memory array are formed on opposite sides of the second substrate. In some embodiments, the method includes applying a second test voltage to a power source pad, wherein the power source pad is electrically connected to a page buffer of the peripheral circuitry. L'invention concerne un procédé de mesure du courant de cellule de mémoire d'une mémoire tridimensionnelle consistant à appliquer une première tension de test à une pastille de ligne de source d'un agencement de circuits périphériques du dispositif de mémoire 3D, la pastille de ligne de source étant électriquement connectée à une ligne de source commune d'un réseau de mémoire 3D du dispositif de mémoire 3D, et l'agencement de circuits périphériques formé sur un premier substrat et le réseau de mémoire 3D formé sur un second substrat étant connectés électriquement par une liaison directe. Le procédé consiste également à appliquer une seconde tension de test à une pastille de ligne de bit du réseau de mémoire 3D, la pastille de ligne de bit et le réseau de mémoire 3D étant formés sur des côtés opposés du second substrat. Selon certains modes de réalisation, le procédé consiste à appliquer une seconde tension de test à une pastille de source d'alimentation, la pastille de source d'alimentation étant électriquement connectée à un tampon de page de l'agencement de circuits périphériques.