SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: HIRATA, Akio, NAKANISHI, Kazuyuki
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 01.04.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; PULSE TECHNIQUE; SEMICONDUCTOR DEVICES

A semiconductor device according to one embodiment of the present disclosure is provided with a plurality of wiring layers (M1 to M3), a first wiring line (11), and a second wiring line (12) which is not connected to the first wiring line (11), while being provided to be redundant for transmission of the same signal level as the first wiring line (11). The first wiring line (11) and the second wiring line (12) are in different wiring layers; and the distance between the first wiring line (11) and the second wiring line (12) is longer than the interlayer distance c between adjacent wiring layers. Un dispositif à semi-conducteur selon un mode de réalisation de la présente invention comporte une pluralité de couches de câblage (M1 à M3), une première ligne de câblage (11), et une seconde ligne de câblage (12) qui n'est pas connectée à la première ligne de câblage (11), tout en étant prévue pour être redondante pour la transmission du même niveau de signal que la première ligne de câblage (11). La première ligne de câblage (11) et la seconde ligne de câblage (12) sont dans des couches de câblage différentes ; et la distance entre la première ligne de câblage (11) et la seconde ligne de câblage (12) est plus longue que la distance intercouche c entre des couches de câblage adjacentes. 本開示の一態様に係る半導体装置は、複数の配線層（Ｍ１～Ｍ３）と、第１配線（１１）と、第１配線（１１）と接続されず、かつ、第１配線（１１）と同じ信号レベルを伝達するために冗長に設けられた第２配線（１２）と、を備え、第１配線（１１）と第２配線（１２）とは異なる配線層に属し、第１配線（１１）と第２配線（１２）との距離は、隣り合う配線層の層間距離ｃより大きい。