OPTOELECTRONIC COMPONENT, SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD

• Main Authors: FEIX, Felix, SUNDGREN, Petrus, ILLEK, Stefan, PIETZONKA, Ines, BIEBERSDORF, Andreas, KLEMP, Christoph, BERGER, Christian, KANEVCE, Ana
• Format: Patent
• Language: English; French; German
• Published: 28.04.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Eine HalbleiterStruktur umfasst eine n-dotierte erste Schicht, eine mit einem ersten Dotierstoff dotierte p-dotierte zweite Schicht, und eine aktive Schicht, die zwischen der n-dotierten ersten Schicht und der p-dotierten zweiten Schicht angeordnet ist und mindestens einen Quantenwell aufweist. Die die aktive Schicht der Halbleiterstruktur teilt sich in eine Vielzahl von ersten optisch aktiven Bereichen, mindestens einen zweiten Bereich und mindestens einen dritten Bereich auf. Dabei sind die mehreren ersten optisch aktiven Bereiche in einem hexagonalen Muster zueinander beabstandet angeordnet sind. Der mindestens eine Quantenwell im aktiven Bereich weist im mindestens einen zweiten Bereich eine größere Bandlücke auf als in der Vielzahl von ersten optisch aktiven Bereichen und dem mindestens einen dritten Bereich, wobei die Bandlücke insbesondere durch ein Quantenwellintermixing modifiziert ist. Der mindestens eine zweite Bereich umschließt die Vielzahl von ersten optisch aktiven Bereichen umschließt. A semiconductor structure comprises an n-doped first layer, a p-doped second layer doped with a first dopant, and an active layer arranged between the n-doped first layer and the p-doped second layer and having at least one quantum well. The active layer of the semiconductor structure is divided into a multiplicity of first optically active regions, at least one second region and at least one third region. In this case, the plurality of first optically active regions are arranged at a distance from one another in a hexagonal pattern. The at least one quantum well in the active region has a greater band gap in the at least one second region than in the multiplicity of first optically active regions and the at least one third region, wherein the band gap is modified by quantum well intermixing, in particular. The at least one second region encloses the multiplicity of first optically active regions. Une structure semi-conductrice comprend une première couche à dopage de type n, une seconde couche à dopage de type p dopée par un premier dopant, et une couche active qui est agencée entre la première couche à dopage de type n et la seconde couche à dopage de type p et au moins un puits quantique. La couche active de la structure semi-conductrice se divise en une pluralité de premières zones à activité optique, en au moins une seconde zone et en au moins une troisième zone. La pluralité de premières zones à activité optique sont disposées à distance les unes des autres selon un motif hexagonal. Ledit au moins un puits quantique situé dans la zone active présente dans au moins une seconde zone un écart énergétique plus important que dans la pluralité de premières zones à activité optique et dans ladite au moins une troisième zone, les écarts énergétiques étant modifiés, en particulier par un mélange de puits quantiques. Ladite au moins une deuxième zone entoure la pluralité de premières zones à activité optique.