COMPOSITIONS AND METHODS USING SAME FOR NON-CONFORMAL DEPOSITION OF SILICON-CONTAINING FILMS
An atomic layer deposition method for depositing a non-conformal silicon and oxygen containing film into surface features comprising vias and/or trenches on one or more substrates. L'invention concerne un procédé de dépôt de couche atomique permettant de déposer un film contenant du silicium et...
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Format | Patent |
Language | English French |
Published |
18.03.2021
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Summary: | An atomic layer deposition method for depositing a non-conformal silicon and oxygen containing film into surface features comprising vias and/or trenches on one or more substrates.
L'invention concerne un procédé de dépôt de couche atomique permettant de déposer un film contenant du silicium et de l'oxygène non conformes en des caractéristiques de surface comprenant des trous d'interconnexion et/ou des tranchées sur un ou plusieurs substrats. |
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Bibliography: | Application Number: WO2020US49315 |