INTEGRATED ASSEMBLIES, AND METHODS OF FORMING INTEGRATED ASSEMBLIES

• Main Author: HALLER, Gordon A
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 04.03.2021
• Subjects: ELECTRICITY

Some embodiments include a method of forming an integrated assembly. A first stack is formed over a conductive structure. The first stack includes a second layer between first and third layers. The first and third layers are conductive. A first opening is formed through the first stack. A sacrificial material is formed within the first opening. A second stack is formed over the first stack. The second stack has alternating first and second levels. A second opening is formed through the second stack and through the sacrificial material. First semiconductor material is formed within the second opening. A third opening is formed through the second stack, through the third layer, and to the second layer. The second layer is removed, forming a conduit. Second semiconductor material is formed within the conduit. Dopant is out-diffused from the second semiconductor material into the first semiconductor material. Some embodiments include integrated assemblies. L'invention concerne, selon certains modes de réalisation, un procédé de formation d'un ensemble intégré. Un premier empilement est formé sur une structure conductrice. Le premier empilement comprend une deuxieme couche entre des première et troisième couches. Les première et troisième couches sont conductrices. Une premiere ouverture est formée à travers le premier empilement. Un matériau sacrificiel est formé à l'intérieur de la première ouverture. Un second empilement est formé sur le premier empilement. Le second empilement présente des premier et second niveaux alternés. Une deuxième ouverture est formée à travers le second empilement et à travers le matériau sacrificiel. Un premier matériau semi-conducteur est formé à l'intérieur de la deuxième ouverture. Une troisième ouverture est formée à travers le second empilement, à travers la troisième couche, et vers la deuxième couche. La deuxième couche est retirée, formant un conduit. Un second matériau semi-conducteur est formé à l'intérieur du conduit. Un dopant est diffusé hors du second matériau semi-conducteur dans le premier matériau semi-conducteur. Certains modes de réalisation de l'invention portent sur des ensembles ferroélectriques.