MANUFACTURING SEQUENCES FOR HIGH DENSITY INTERCONNECT PRINTED CIRCUIT BOARDS AND A HIGH DENSITY INTERCONNECT PRINTED CIRCUIT BOARD

• Main Authors: ÖZKÖK, Akif, ÖZKÖK, Mustafa, BRÜGGMANN, Horst, LAMPRECHT, Sven, MIRKOVIC, Marko, YOUKHANIS, Markus, MATEJAT, Kai-Jens, REENTS, Bert
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 25.02.2021
• Subjects: CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS; PRINTED CIRCUITS

The present invention refers to a method of preparing a high density interconnect printed circuit board (HDI PCB) or IC substrates including through-holes and/or grate structures filled with copper, which comprises the steps of: a) providing a multi-layer substrate comprising (i) an insulating core layer having a peripheral surface, or (i') a stack assembly comprising an insulating core layer embedded between two electrically conductive interlayers and at least one outer insulating layer attached on the electrically conductive interlayers and having a peripheral surface, (ii) an optional cover layer covering the peripheral surface, and (iii) at least one through-hole extending through all layers of the multilayer substrate; and a grate structure having multiple slots extending through the optional cover laver and partially extending in the insulating core layer or extending through at least the optional cover layer and at least one of the outer insulating layers; b) forming a non-copper conductive layer or a copper layer on the cover layer and on an inner surface of the through-hole, respectively on an inner surface of the grate structure; c) forming a patterned masking film on the non-copper conductive layer or on the copper layer; d) electrodepositing a copper inner-seal inside the through-hole sufficient to form two blind-microvias, respectively electrodepositing a copper inlay on the non-copper conductive layer or on the copper layer of the inner surface of the grate structure and on the remaining peripheral surface of the non-copper conductive layer or of the copper layer, in one step; e) removing the masking film; and f) electrodepositing a copper filling in the blind-microvias, respectively the copper inlay, and on the first copper layer in one step. La présente invention concerne un procédé de préparation d'une carte de circuit imprimé d'interconnexion haute densité (PCB HDI) ou de substrats de CI comprenant des trous traversants et/ou des structures de grille rempli(e)s de cuivre, ledit procédé comprenant les étapes suivantes : a) fournir un substrat multicouche comprenant (i) une couche centrale isolante comportant une surface périphérique, ou (i') un ensemble empilement comprenant une couche centrale isolante incorporée entre deux couches intermédiaires électriquement conductrices et au moins une couche externe isolante fixée sur les couches intermédiaires électriquement conductrices et comportant une surface périphérique, (ii) une couche de recouvrement facultative recouvrant la surface périphérique et (iii) au moins un trou traversant s'étendant à travers toutes les couches du substrat multicouche ; et une structure de grille comportant de multiples fentes s'étendant à travers la couche de recouvrement facultative et partiellement dans la couche centrale isolante, ou s'étendant à travers au moins la couche de recouvrement facultative et au moins une des couches externes isolantes ; b) former une couche conductrice sans cuivre ou une couche de cuivre sur la couche de recouvrement et sur une surface interne du trou traversant, respectivement sur une surface interne de la structure de grille ; c) former un film de masquage à motifs sur la couche conductrice sans cuivre ou sur la couche de cuivre ; d) former par dépôt électrolytique, à l'intérieur du trou traversant, un joint interne en cuivre suffisant pour former deux trous d'interconnexion borgnes, former respectivement par dépôt électrolytique une incrustation de cuivre sur la couche conductrice sans cuivre ou sur la couche de cuivre de la surface interne de la structure de grille et sur la surface périphérique restante de la couche conductrice sans cuivre ou de la couche de cuivre, en une étape ; e) éliminer le film de masquage ; et f) réaliser par électrodéposition un remplissage de cuivre dans les micro-trous d'interconnexion borgnes, respectivement l'incrustation de cuivre, et sur la première couche de cuivre en une étape.