SEMICONDUCTOR HOT-SPOT AND PROCESS-WINDOW DISCOVERY COMBINING OPTICAL AND ELECTRON-BEAM INSPECTION

• Main Authors: LIANG, Ardis, PLIHAL, Martin, BHAGWAT, Sandeep, PARAMASIVAM, Saravanan, LAKSHMI NARASIMHAN, Niveditha
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 11.02.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIRCHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES; MEASURING; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES; TESTING

To evaluate a semiconductor-fabrication process, a semiconductor wafer is obtained that includes die grouped into modulation sets. Each modulation set is fabricated using distinct process parameters. The wafer is optically inspected to identify defects. A nuisance filter is trained to classify the defects as DOI or nuisance defects. Based on results of the training, a first, preliminary process window for the wafer is determined and die structures having DOI are identified in a first group of modulation sets bordering the first process window. The trained nuisance filter is applied to the identified defects to determine a second, revised process window for the wafer. A third, further revised process window for the wafer is determined based on SEM images of specified care areas in one or more modulation sets within the second, revised process window. A report is generated that specifies the third process window. Pour évaluer un processus de fabrication de semi-conducteur, une tranche de semi-conducteur est obtenue et comprend une puce groupée en ensembles de modulation. Chaque ensemble de modulation est fabriqué à l'aide de paramètres de traitement distincts. La tranche est inspectée optiquement pour identifier des défauts. Un filtre de nuisance est entraîné pour classer les défauts en tant que DOI ou défauts de nuisance. Sur la base des résultats de l'entraînement, une première fenêtre de traitement préliminaire pour la tranche est déterminée et des structures de puce ayant des DOI sont identifiées dans un premier groupe d'ensembles de modulation bordant la première fenêtre de traitement. Le filtre de nuisance entraîné est appliqué aux défauts identifiés pour déterminer une deuxième fenêtre de traitement révisée pour la tranche. Une troisième fenêtre de traitement révisée supplémentaire pour la tranche est déterminée sur la base d'images MEB de zones de soins spécifiées dans un ou plusieurs ensembles de modulation à l'intérieur de la deuxième fenêtre de traitement révisée. Un rapport est généré qui spécifie la troisième fenêtre de traitement.