SILICON INGOT, SILICON BLOCK, SILICON SUBSTRATE, AND SOLAR CELL

• Main Authors: OGASHIWA Youhei, TAKENOSHITA Takeshi, OGURI Seiji
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 04.02.2021
• Subjects: AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMISTRY; CRYSTAL GROWTH; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; METALLURGY; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; SEMICONDUCTOR DEVICES; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; SINGLE-CRYSTAL-GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL

An ingot according to the present invention has: a first surface; a second surface located on the opposite side from the first surface; and a third surface that is located along a first direction extending from the second surface towards the first surface in a state in which the first surface and the second surface are connected. The ingot is provided with a first pseudo monocrystal region, a first intermediate region containing at least one pseudo monocrystal region, and a second pseudo monocrystal region that are adjacent to one another in that order in a second direction orthogonal to the first direction. In the second direction, the width of the first pseudo monocrystal region and the width of the second pseudo monocrystal region are each larger than the width of the first intermediate region. A first boundary between the first pseudo monocrystal region and the first intermediate region has a coincidence boundary. A second boundary between the second pseudo monocrystal region and the first intermediate region has a coincidence boundary. At least one of the first boundary and the second boundary is curved on a virtual cross section orthogonal to the first direction. L'invention concerne un lingot comportant : une première surface ; une deuxième surface située sur le côté opposé à la première surface ; et une troisième surface qui est située le long d'une première direction s'étendant depuis la deuxième surface vers la première surface dans un état dans lequel la première surface et la deuxième surface sont reliées. Le lingot est pourvu d'une première région pseudo-monocristalline, d'une première région intermédiaire contenant au moins une région pseudo-monocristalline et d'une seconde région pseudo-monocristalline qui sont adjacentes l'une à l'autre dans cet ordre dans une seconde direction orthogonale à la première direction. Dans la seconde direction, la largeur de la première région pseudo-monocristalline et la largeur de la seconde région pseudo-monocristalline sont chacune plus grandes que la largeur de la première région intermédiaire. Une première limite entre la première région pseudo-monocristalline et la première région intermédiaire a une limite de coïncidence. Une seconde limite entre la seconde région pseudo-monocristalline et la première région intermédiaire a une limite de coïncidence. La première limite et/ou la seconde limite sont courbées sur une section transversale virtuelle orthogonale à la première direction. インゴットは、第１面と、該第１面と逆側に位置している第２面と、第１面と第２面とを接続している状態で第２面から第１面に向かう第１方向に沿って位置している第３面と、を有する。該インゴットは、第１方向に垂直である第２方向において順に隣接している、第１擬似単結晶領域と、１つ以上の擬似単結晶領域を含む第１中間領域と、第２擬似単結晶領域と、を備える。第２方向において、第１擬似単結晶領域の幅および第２擬似単結晶領域の幅のそれぞれは、第１中間領域の幅よりも大きい。第１擬似単結晶領域と第１中間領域との第１境界が対応粒界を有する。第２擬似単結晶領域と第１中間領域との第２境界が対応粒界を有する。第１境界および第２境界のうちの少なくとも一方の境界が、第１方向に垂直な仮想的な断面において曲がっている。