SEMICONDUCTOR DEVICE AND IMAGING DEVICE

• Main Author: KIMIZUKA Naohiko
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 21.01.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION; SEMICONDUCTOR DEVICES

Provided are a semiconductor device which can reduce the substrate bias effect, and an imaging device which uses this semiconductor device. The semiconductor device comprises: a semiconductor substrate; and a field effect transistor provided on a first principal surface side of the semiconductor substrate. The field effect transistor has: a semiconductor region where a channel is formed; a gate electrode that covers the semiconductor region; a gate insulating film disposed between the semiconductor region and the gate electrode; and a first insulating film disposed between the semiconductor region and the semiconductor substrate. The semiconductor region has: an upper surface; a first side surface located on one side of the upper surface, in a first direction which is parallel to the upper surface; and a second side surface located on the other side of the upper surface, in the first direction. The gate electrode has: a first site that faces the upper surface via the gate insulating film; a second site that faces the first side surface via the gate insulating film; and a third site that faces the second side surface via the gate insulating film. L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur qui peut réduire l'effet de polarisation de substrat, et un dispositif d'imagerie qui utilise ce dispositif à semi-conducteur. Le dispositif à semi-conducteur comprend : un substrat semi-conducteur ; et un transistor à effet de champ disposé sur un premier côté de surface principale du substrat semi-conducteur. Le transistor à effet de champ comporte : une région semi-conductrice dans laquelle un canal est formé ; une électrode de grille qui recouvre la région semi-conductrice ; un film isolant de grille disposé entre la région semi-conductrice et l'électrode de grille ; et un premier film isolant disposé entre la région semi-conductrice et le substrat semi-conducteur. La région semi-conductrice comporte : une surface supérieure ; une première surface latérale située sur un côté de la surface supérieure, dans une première direction qui est parallèle à la surface supérieure ; et une seconde surface latérale située de l'autre côté de la surface supérieure, dans la première direction. L'électrode de grille comporte : un premier site qui fait face à la surface supérieure par l'intermédiaire du film isolant de grille ; un deuxieme site qui fait face à la première surface latérale par l'intermédiaire du film isolant de grille ; et un troisième site qui fait face à la seconde surface latérale par l'intermédiaire du film isolant de grille. 基板バイアス効果を低減することができる半導体装置と、この半導体装置を用いた撮像装置とを提供する。半導体装置は、半導体基板と、半導体基板の第１主面側に設けられた電界効果トランジスタと、を備える。電界効果トランジスタは、チャネルが形成される半導体領域と、半導体領域を覆うゲート電極と、半導体領域とゲート電極との間に配置されたゲート絶縁膜と、半導体領域と半導体基板との間に配置された第１絶縁膜と、を有する。半導体領域は、上面と、上面に平行な第１方向において上面の一方の側に位置する第１側面と、第１方向において上面の他方の側に位置する第２側面と、を有する。ゲート電極は、上面とゲート絶縁膜を介して向かい合う第１部位と、第１側面とゲート絶縁膜を介して向かい合う第２部位と、第２側面とゲート絶縁膜を介して向かい合う第３部位と、を有する。