IMAGING ELEMENT AND IMAGING DEVICE

According to the present invention, reflected light of a rear-irradiated image element is reduced. This imaging element comprises an on-chip lens, a photoelectric conversion unit, and an absorption film. The on-chip lens included in the imaging element focuses incident light. The photoelectric conve...

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Main Author INOUE Kouichi
Format Patent
LanguageEnglish
French
Japanese
Published 14.01.2021
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Summary:According to the present invention, reflected light of a rear-irradiated image element is reduced. This imaging element comprises an on-chip lens, a photoelectric conversion unit, and an absorption film. The on-chip lens included in the imaging element focuses incident light. The photoelectric conversion unit included in the imaging element is configured on a semiconductor substrate and performs photoelectric conversion of the focused incident light. The absorption film included in the imaging element is disposed adjacent to the semiconductor substrate, has an opening part having a size substantially the same as the focused size of the focused incident light, and absorbs reflected light of the incident light. Selon la présente invention, la lumière réfléchie d'un élément d'image irradié par l'arrière est réduite. L'élément d'imagerie comprend une lentille sur la puce, une unité de conversion photoélectrique et un film d'absorption. La lentille sur puce incluse dans l'élément d'imagerie concentre la lumière incidente. L'unité de conversion photoélectrique incluse dans l'élément d'imagerie est configurée sur un substrat semi-conducteur et effectue une conversion photoélectrique de la lumière incidente focalisée. Le film d'absorption inclus dans l'élément d'imagerie est disposé adjacent au substrat semi-conducteur, a une partie d'ouverture ayant une taille sensiblement identique à la taille focalisée de la lumière incidente focalisée, et absorbe la lumière réfléchie de la lumière incidente. 裏面照射型の撮像素子の反射光を低減する。 撮像素子は、オンチップレンズ、光電変換部および吸収膜を具備する。この撮像素子が具備するオンチップレンズは、入射光を集光する。この撮像素子が具備する光電変換部は、半導体基板に構成されてその集光された入射光の光電変換を行う。この撮像素子が具備する吸収膜は、その半導体基板に隣接して配置されてその集光された入射光の集光サイズと略同じ大きさの開口部を備えてその入射光の反射光を吸収する。
Bibliography:Application Number: WO2020JP23167