SUBSTRATE PROCESSING DEVICE AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD

• Main Author: NAKAI, Hitoshi
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 30.12.2020
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

In the present invention, an inner peripheral end 74a of a first guard tip part 86 faces a peripheral end surface Wc of a substrate W with a first annular gap C1 interposed therebetween in the horizontal direction. In addition, an inner peripheral end 75a of a second guard tip part 88 faces an outer peripheral end 28c of a disk part 28 with a second annular gap C2 interposed therebetween in the horizontal direction. A shield member 6 faces the substrate W while a substrate-facing surface 26a and a surface Wa of the substrate W has a predetermined gap WU therebetween. The sum (L1+L2) of the length L1 of the first annular gap C1 and the length L2 of the second annular gap C2 is no less than a flow passage width WF in an exhaust path EP, and is no greater than the gap WU between the substrate-facing surface 26a and the surface Wa of the substrate W (WF≤(L1+L2)≤WU). La présente invention concerne une extrémité périphérique interne (74a) d'une première partie de pointe de protection (86) qui fait face à une surface d'extrémité périphérique (Wc) d'un substrat (W) avec un premier espace annulaire (C1) interposé entre celles-ci dans la direction horizontale. De plus, une extrémité périphérique interne (75a) d'une seconde partie de pointe de protection (88) fait face à une extrémité périphérique externe (28c) d'une partie de disque (28) avec un second espace annulaire (C2) interposé entre celles-ci dans la direction horizontale. Un élément de protection (6) fait face au substrat (W) tandis qu'une surface tournée vers le substrat (26a) et une surface (Wa) du substrat (W) comportent un espace prédéterminé (WU) entre celles-ci. La somme (L1 + L2) de la longueur (L1) du premier espace annulaire (C1) et de la longueur (L2) du second espace annulaire (C2) est supérieure ou égale à une largeur de passage d'écoulement (WF) d'un trajet d'échappement (EP), et est inférieure ou égale à l'espace (WU) entre la surface tournée vers le substrat (26a) et la surface (Wa) du substrat (W), selon l'expression (WF ≤ (L1 + L2) ≤ WU). 基板Ｗの周端面Ｗｃに、第１のガード先端部８６の内周端７４ａが水平方向に第１の環状隙間Ｃ１を隔てて対向する。また、円板部２８の外周端２８ｃに、第２のガード先端部８８の内周端７５ａが水平方向に第２の環状隙間Ｃ２を隔てて対向する。基板対向面２６ａと基板Ｗの表面Ｗａとが、所定の間隔ＷＵを保ちながら、遮断部材６が基板Ｗに対向する。第１の環状隙間Ｃ１の距離Ｌ１と、第２の環状隙間Ｃ２の距離Ｌ２と、の合計（Ｌ１＋Ｌ２）は、排気経路ＥＰにおける流路幅ＷＦ以上であり、基板対向面２６ａと基板Ｗの表面Ｗａとの間隔ＷＵ以下である（ＷＦ≦（Ｌ１＋Ｌ２）≦ＷＵ））。