USE OF ROTATION TO CORRECT FOR AZIMUTHAL NON-UNIFORMITIES IN SEMICONDUCTOR SUBSTRATE PROCESSING

• Main Authors: CHANDRASEKHARAN, Ramesh, LAVOIE, Adrien, VARADARAJAN, Seshasayee, ROBERTS, Michael Philip, AGARWAL, Pulkit, CARBERY, Marcus, KUMAR, Ravi
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 24.12.2020
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SEMICONDUCTOR DEVICES; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

A substrate processing system includes a substrate support and a controller. The substrate support includes a lift pad, a plurality of zones, and a plurality of resistive heaters arranged throughout the plurality of zones. The plurality of resistive heaters includes separately-controllable resistive heaters arranged in respective ones of the plurality of zones. The controller is configured to determine a rotational position of a substrate arranged on the lift pad, selectively rotate the lift pad to adjust the substrate to the rotational position, and control the plurality of resistive heaters to selectively adjust temperatures within the plurality of zones based on the rotational position. La présente invention concerne un système de traitement de substrats comprenant un substrat de support et un dispositif de commande. Le support de substrat comprend un plot de levage, une pluralité de zones, et une pluralité d'éléments de chauffage résistifs agencés à travers toute la pluralité de zones. La pluralité d'éléments chauffants résistifs comprend des éléments de chauffage résistifs pouvant être commandés séparément, agencés dans des zones respectives de la pluralité de zones. Le dispositif de commande est configuré pour déterminer une position de rotation d'un substrat disposé sur le plot de levage, entraîner la rotation sélective du plot de levage pour ajuster le substrat à la position de rotation, et commander la pluralité de dispositifs de chauffage résistifs pour le réglage sélectif des températures à l'intérieur de la pluralité de zones sur la base de la position de rotation.