MEMORY DEVICE WITH STATUS FEEDBACK FOR ERROR CORRECTION

Methods, systems, and devices for a memory device with status feedback for error correction are described. For example, during a read operation, a memory device may perform an error correction operation on first data read from a memory array of the memory device. The error correction operation may g...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors SCHAEFER, Scott, BOEHM, Aaron
Format Patent
LanguageEnglish
French
Published 24.12.2020
Subjects
CALCULATING
COMPUTING
COUNTING
ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
INFORMATION STORAGE
PHYSICS
STATIC STORES
Online AccessGet full text

Cover

More Information
Summary:Methods, systems, and devices for a memory device with status feedback for error correction are described. For example, during a read operation, a memory device may perform an error correction operation on first data read from a memory array of the memory device. The error correction operation may generate second data and an indicator of a state of error corresponding to the second data. In one example, the indicator may indicate one of multiple possible states of error. In another example, the indicator may indicate a corrected error or no detectable error. The memory device may output the first or second data and the indicator of the state of error during a same burst interval. The memory device may output the data on a first channel and the indicator of the state of error on a second channel. L'invention concerne des procédés, des systèmes, et des dispositifs destinés à un dispositif de mémoire avec retour d'état pour correction d'erreur. Par exemple, pendant une opération de lecture, un dispositif de mémoire peut effectuer une opération de correction d'erreur sur des premières données lues dans un réseau de mémoire du dispositif de mémoire. L'opération de correction d'erreur peut générer des secondes données et un indicateur d'un état d'erreur correspondant aux secondes données. Dans un exemple, l'indicateur peut indiquer un état parmi de multiples états possibles d'erreur. Dans un autre exemple, l'indicateur peut indiquer une erreur corrigée ou aucune erreur détectable. Le dispositif de mémoire peut distribuer les première ou seconde données et l'indicateur de l'état d'erreur pendant un même intervalle de rafale. Le dispositif de mémoire peut distribuer les données sur un premier canal et l'indicateur de l'état d'erreur sur un second canal.
Bibliography:Application Number: WO2020US37188