THERMOELECTRIC DEVICE

• Main Authors: CHOI, Man Hue, CHO, Yong Sang
• Format: Patent
• Language: English; French; Korean
• Published: 10.12.2020
• Subjects: ELECTRICITY

A thermoelectric device according to one embodiment of the present invention comprises: a first insulating layer; a first substrate disposed on the first insulating layer; a second insulating layer disposed on the first substrate; a first electrode disposed on the second insulating layer; a P-type thermoelectric leg and an N-type thermoelectric leg disposed on the first electrode; a second electrode disposed on the P-type thermoelectric leg and the N-type thermoelectric leg; a third insulating layer disposed on the second electrode; and a second substrate disposed on the third insulating layer, wherein the first insulating layer includes a first aluminum oxide layer, the first substrate is an aluminum substrate, the second substrate is a copper substrate, the first substrate is a low temperature portion, and the second substrate is a high temperature portion. Un dispositif thermoélectrique selon un mode de réalisation de la présente invention comprend : une première couche isolante ; un premier substrat disposé sur la première couche isolante ; une deuxième couche isolante disposée sur le premier substrat ; une première électrode disposée sur la deuxième couche isolante ; une patte thermoélectrique de type P et une patte thermoélectrique de type N disposées sur la première électrode ; une seconde électrode disposée sur la patte thermoélectrique de type P et la patte thermoélectrique de type N ; une troisième couche isolante disposée sur la seconde électrode ; et un second substrat disposé sur la troisième couche isolante, la première couche isolante comprenant une première couche d'oxyde d'aluminium, le premier substrat est un substrat en aluminium, le second substrat est un substrat en cuivre, le premier substrat est une partie à basse température, et le second substrat est une partie à haute température. 본 발명의 한 실시예에 따른 열전소자는 제1 절연층, 상기 제1 절연층 상에 배치된 제1 기판, 상기 제1 기판 상에 배치된 제2 절연층, 상기 제2 절연층 상에 배치된 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 배치된 P형 열전 레그 및 N형 열전 레그, 상기 P형 열전 레그 및 N형 열전 레그 상에 배치된 제2 전극, 상기 제2 전극 상에 배치된 제3 절연층, 그리고 상기 제3 절연층 상에 배치된 제2 기판을 포함하고, 상기 제1 절연층은 제1 산화알루미늄층을 포함하고, 상기 제1 기판은 알루미늄 기판이며, 상기 제2 기판은 구리 기판이고, 상기 제1 기판은 저온부이며, 상기 제2 기판은 고온부이다.