SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND IMAGING DEVICE USING SAME

• Main Authors: ONOZAWA, Kazutoshi, AMIKAWA, Hiroyuki, IKUMA, Makoto
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 03.12.2020
• Subjects: ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE; ELECTRICITY; PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION

This solid-state imaging device is provided with: an overflow element group for accumulating signal charges that have overflowed in a photodiode (PD); and a floating diffusion layer (FD) for selectively holding signal charges transferred from the photodiode (PD) and signal charges transferred from the overflow element group. The overflow element group is composed of m sets (m≧2) of an overflow element (OF1) and a storage capacitor element (C1), the sets being connected in series in stages. The overflow element (OF1 to OFm) transfers signal charges that have overflowed in the photodiode (PD) or signal charges of the storage capacitor element (C1) of a previous stage to the storage capacitor element (C1 to Cm) in the same set as that of the overflow element (OF1 to OFm). Dispositif d'imagerie à semi-conducteur comprenant : un groupe d'éléments de débordement permettant d'accumuler des charges de signal qui ont débordé dans une photodiode (PD); et une couche de diffusion flottante (FD) servant à maintenir sélectivement des charges de signal transférées depuis la photodiode (PD) et des charges de signal transférées depuis le groupe d'éléments de débordement. Le groupe d'éléments de débordement est composé de m ensembles (m ≧ 2) d'un élément de débordement (OF1) et d'un élément de condensateur de stockage (C1), les ensembles étant reliés en série dans des étages. L'élément de débordement (OF1 à OFm) transfère des charges de signal qui ont débordé dans la photodiode (PD) ou des charges de signal de l'élément de condensateur de stockage (C1) d'un étage précédent à l'élément de condensateur de stockage (C1 à Cm) dans le même ensemble que celui de l'élément de débordement (OF1 à OFm). 固体撮装置は、フォトダイオード（ＰＤ）で溢れた信号電荷を蓄積するオーバーフロー素子群と、フォトダイオード（ＰＤ）から転送された信号電荷、および、オーバーフロー素子群から転送された信号電荷を選択的に保持する浮遊拡散層（ＦＤ）とを備え、オーバーフロー素子群は、オーバーフロー素子（ＯＦ１）と蓄積容量素子（Ｃ１）を１組とし、直列に段階的に接続されたｍ組（ｍ≧２）で構成され、オーバーフロー素子（ＯＦ１～ＯＦｍ）は、フォトダイオード（ＰＤ）で溢れた信号電荷または前段の蓄積容量素子（Ｃ１）の信号電荷を、当該オーバーフロー素子（ＯＦ１～ＯＦｍ）と同じ組内の蓄積容量素子（Ｃ１～Ｃｍ）に転送する。