HIGH VOLTAGE, LOW PRESSURE PLASMA ENHANCED ATOMIC LAYER DEPOSITION

• Main Author: DICKEY, Eric R
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 05.11.2020

Atomic layer deposition (ALD) methods and barrier films are disclosed. A method of performing ALD includes placing a substrate proximal an electrode coupled to a power supply, exposing the substrate to an oxygen-containing gas or a nitrogen-containing gas at or below 0.8 Torr, and applying, with the power supply, a voltage to the electrode of at least 700 Volts to induce a plasma state in the oxygen-containing gas or the nitrogen-containing gas proximal the substrate. High quality barrier films can be made with the methods. L'invention concerne des procédés de dépôt de couche atomique (ALD) et des films barrières. Un procédé de réalisation d'ALD consiste à placer un substrat à proximité d'une électrode couplée à une alimentation électrique, à soumettre le substrat à un gaz contenant de l'oxygène ou un gaz contenant de l'azote à 0,8 torr ou moins, et appliquer, au moyen de l'alimentation électrique, une tension à l'électrode d'au moins 700 volts pour induire un état de plasma dans le gaz contenant de l'oxygène ou le gaz contenant de l'azote à proximité du substrat. Des films barrières de haute qualité peuvent être fabriqués selon les procédés.