SEMICONDUCTOR DEVICE AND ELECTRONIC APPARATUS COMPRISING SAME

• Main Authors: NOGUCHI Kenji, KANDA Yasuo, OKA Mikio
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 01.10.2020
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INFORMATION STORAGE; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES; STATIC STORES

Provided are: a semiconductor device which is capable of efficiently increasing the capacity of a storage element to be mounted while saving space; and an electronic apparatus comprising the same. The semiconductor device comprises: a storage element which has a first conducting layer, a second conducting layer, and an insulating layer, the first conducting layer and the second conducting layer being stacked via at least the insulating layer, and which has a filament that generates at least three distinguishable resistance states by changing the combination of the state of the first conducting layer, the state of the second conducting layer, and the state of the insulating layer; and a write portion which generates at least three distinguishable resistance states by applying a blow current to the storage element. La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur qui est capable d'augmenter efficacement la capacité d'un élément de stockage à être monter tout en économisant l'espace; et un appareil électronique le comprenant. Le dispositif à semi-conducteur comprend : un élément de stockage qui a une première couche conductrice, une seconde couche conductrice et une couche isolante, la première couche conductrice et la seconde couche conductrice étant empilées par l'intermédiaire d'au moins la couche isolante, et qui a un filament qui génère au moins trois états de résistance distincts en changeant la combinaison de l'état de la première couche conductrice, de l'état de la seconde couche conductrice, et de l'état de la couche isolante; et une partie d'écriture qui génère au moins trois états de résistance distincts en appliquant un courant de soufflage à l'élément de stockage. 搭載する記憶素子の容量を省スペースで効率よく増加させることのできる半導体装置及びこれを備えた電子機器を提供する。半導体装置は、第１導電層と、第２導電層と、絶縁層とを有し、第１導電層と第２導電層とは少なくとも絶縁層を介して積層されており、第１導電層の状態と、第２導電層の状態と、絶縁層の状態との組合せを変えることにより、少なくとも３つの識別可能な抵抗状態が生成されるフィラメントを有した記憶素子と、記憶素子に対してブロー電流を印加して少なくとも３つの識別可能な抵抗状態を生成する書き込み部とを備える。