PRODUCTION METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, DIE-BONDING FILM, AND DICING/DIE-BONDING INTEGRATED ADHESIVE SHEET

• Main Authors: UEDA Asami, TANIGUCHI Kouhei
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 01.10.2020
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Disclosed is a production method that is for a semiconductor device, the method comprising: a step for preparing a dicing/die-bonding integrated adhesive sheet including an adhesive layer made of a die-bonding film having an elongation at break of 5% or less at -15°C, a pressure-sensitive adhesive layer, and a substrate film, which are stacked in that order; a step for preparing a semiconductor wafer, and forming a modified layer on the semiconductor wafer; a step for pasting the adhesive layer surface of the dicing/die-bonding integrated adhesive sheet to the semiconductor wafer; a step for expanding the substrate film to separate the semiconductor wafer and the adhesive layer into pieces, and thereby producing semiconductor chips having the adhesive layer; a step for picking up a semiconductor chip having the adhesive layer from the pressure-sensitive adhesive layer; and a step for adhering the semiconductor chip having the adhesive layer to a support substrate for mounting a semiconductor chip with the adhesive layer interposed therebetween. La présente invention concerne un procédé de production qui est destiné à un dispositif semi-conducteur, le procédé comprenant : une étape consistant à préparer une feuille adhésive intégrée de découpage en dés/liaison de puce comprenant une couche adhésive composée d'un film de liaison de puce présentant un allongement à la rupture inférieur ou égal à 5 % à - 15 °C, une couche adhésive sensible à la pression et un film de substrat, qui sont empilés dans cet ordre ; une étape consistant à préparer une plaquette semi-conductrice et consistant à former une couche modifiée sur la plaquette semi-conductrice ; une étape consistant à coller la surface de couche adhésive de la feuille adhésive intégrée de découpage en dés/liaison de puce à la plaquette semi-conductrice ; une étape consistant à dilater le film de substrat afin de séparer la plaquette semi-conductrice et la couche adhésive en morceaux et de production de puces semi-conductrices présentant la couche adhésive ; une étape consistant à saisir une puce semi-conductrice présentant la couche adhésive à partir de la couche adhésive sensible à la pression ; et une étape consistant à adhérer la puce semi-conductrice présentant la couche adhésive à un substrat de support en vue du montage d'une puce semi-conductrice avec la couche adhésive interposée entre ces dernières. －１５℃における破断伸びが５％以下であるダイボンディングフィルムからなる接着剤層と、粘着剤層と、基材フィルムとをこの順に備えるダイシング・ダイボンディング一体型接着シートを準備する工程と、半導体ウェハを準備し、半導体ウェハに対して改質層を形成する工程と、ダイシング・ダイボンディング一体型接着シートの接着剤層の面を、半導体ウェハに貼り付ける工程と、基材フィルムをエキスパンドすることによって、半導体ウェハ及び接着剤層を個片化し、接着剤層付き半導体チップを作製する工程と、接着剤層付き半導体チップを粘着剤層からピックアップする工程と、接着剤層付き半導体チップを、接着剤層を介して半導体チップ搭載用支持基板に接着する工程とを備える、半導体装置の製造方法が開示される。