SUBSTRATE PROCESSING DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE PRODUCTION METHOD, AND RECORDING MEDIUM

• Main Authors: TAKANO Satoshi, TATENO Hideto
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 01.10.2020
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SEMICONDUCTOR DEVICES; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

The present invention provides technology comprising: a substrate holder that holds a plurality of substrates; a reaction tube that accommodates the substrate holder; a heating unit that heats the inside of the reaction tube; a gas supply unit that supplies a processing gas to the interior of an inner tube of the reaction tube; a discharge unit that discharges the processing gas from the interior of the reaction tube; a temperature measurement unit that measures the temperature inside the reaction tube; a reflectance measurement unit that measures the reflectance of a film formed in the interior of the reaction tube; and a control unit that performs a feedback control with respect to the film formation conditions of a film to be formed on the substrate, said control using temperature information measured by the temperature measurement unit and film reflectance information measured by the reflectance measurement unit. L'invention concerne une technologie comprenant : un support de substrat qui contient une pluralité de substrats ; un tube de réaction qui reçoit le support de substrat ; une unité de chauffage qui chauffe l'intérieur du tube de réaction ; une unité de fourniture de gaz qui fournit un gaz de traitement à un tube interne du tube de réaction ; une unité d'évacuation qui évacue le gaz de traitement depuis l'intérieur du tube de réaction ; une unité de mesure de température qui mesure la température de l'intérieur du tube de réaction ; une unité de mesure de réflectance qui mesure la réflectance d'un film formé à l'intérieur du tube de réaction ; et une unité de commande qui effectue une commande de rétroaction par rapport aux conditions de formation de film pour le film à former sur le substrat, une telle commande utilisant des informations de température mesurées par l'unité de mesure de température et des informations de réflectance du film mesurées par l'unité de mesure de réflectance. 複数枚の基板を保持する基板保持具と、基板保持具を収容する反応管と、反応管内を加熱する加熱部と、反応管の内管の内部に処理ガスを供給するガス供給部と、反応管の内部から処理ガスを排気する排気部と、反応管内の温度を計測する温度計測部と、反応管の内部に形成される膜の反射率を計測する反射率計測部と、温度計測部で計測した温度情報と反射率計測部で計測した膜の反射率情報とを用いて基板に形成する膜の成膜条件をフィードバック制御する制御部とを備えて技術を提供する。