POWER TRANSISTOR ARRANGEMENT HAVING A CURRENT MEASURING CIRCUIT

• Main Authors: STRACHE, Sebastian, BARNER, Alexander, ROSAHL, Thoralf, ERCKERT, Ricardo
• Format: Patent
• Language: English; French; German
• Published: 24.09.2020
• Subjects: APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC,OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWERSUPPLY SYSTEMS; BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY; CONTROL OR REGULATION THEREOF; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUTPOWER; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER; ELECTRICITY; GENERATION; MEASURING; MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES; PHYSICS; PULSE TECHNIQUE; TESTING

Es wird eine Leistungstransistoranordnung (11), umfassend einen Leistungstransistor (12) und eine mit dem Leistungstransistor (12) verbundene Strommessschaltung (13) zur Bestimmung eines Durchgangsstroms durch den Leistungstransistor (12) beschrieben. Der Durchgangsstrom ist vom Source-Anschluss (14) des Leistungstransistors (12) über mindestens einen Source-Bonddraht (15) geführt. Ein erster Mess-Bonddraht (16) ist zwischen einem ersten Ende (17) des Source-Bonddrahts (15), das dem Source-Anschluss (14) zugewandt ist, und dem Source-Anschluss (14) angeschlossen. Ein zweiter Mess-Bonddraht (18) ist hinter einem zweiten Ende (19) des Source-Bonddrahts (15), das dem Source-Anschluss (14) abgewandt ist, angeschlossen. Beide Mess-Bonddrähte (16, 18) sindmit der Strommessschaltung (13) verbunden. Bekannte Leistungstransistoranordnungen weisen nur eine begrenzt zuverlässige Überstromsicherung auf. Erfindungsgemäß ist zusätzlich zu dem ersten und dem zweiten Mess-Bonddraht (16, 18) ein dritter Mess- Bonddraht (21) hinter dem zweiten Ende (19) des Source-Bonddrahts (15) angeschlossen, wobei auch der dritte Mess-Bonddraht (21) mit der Strommessschaltung (13) verbunden ist.Dadurch kann die Gateladung unabhängig vom Strom durch den Source-Bonddraht (15) bestimmt werden, wodurch die Überstromsicherung für den Leistungstransistor (12) verbessert wird. A description is given of a power transistor arrangement (11) comprising a power transistor (12) and a current measuring circuit (13) which is connected to the power transistor (12) and is intended to determine a through-current through the power transistor (12). The through-current is guided from the source connection (14) of the power transistor (12) via at least one source bonding wire (15). A first measuring bonding wire (16) is connected between a first end (17) of the source bonding wire (15) facing the source connection (14) and the source connection (14). A second measuring bonding wire (18) is connected downstream of a second end (19) of the source bonding wire (15) facing away from the source connection (14). Both measuring bonding wires (16, 18) are connected to the current measuring circuit (13). Known power transistor arrangements have only limited reliable overcurrent protection. According to the invention, in addition to the first and second measuring bonding wires (16, 18), a third measuring bonding wire (21) is connected downstream of the second end (19) of the source bonding wire (15), wherein the third measuring bonding wire (21) is also connected to the current measuring circuit (13). As a result, the gate charge can be determined independently of the current through the source bonding wire (15), thus improving the overcurrent protection for the power transistor (12). L'invention concerne un ensemble transistor de puissance (11) comprenant un transistor de puissance (12) et un circuit de mesure de courant (13) relié à ce transistor de puissance (12) pour déterminer un courant traversant dans le transistor de puissance (12). Le courant traversant est guidé à partir du raccordement de source (14) du transistor de puissance (12) par l'intermédiaire d'au moins un fil métallique de connexion de source (15). Un premier fil métallique de connexion de mesure (16) est raccordé entre une première extrémité (17) du fil métallique de connexion de source (15), vis-à-vis du raccordement de source (14), et ce raccordement de source (14). Un deuxième fil métallique de connexion de mesure (18) est raccordé en aval d'une deuxième extrémité (19) du fil métallique de connexion de source (15), à l'opposé du raccordement de source (14). Les deux fils métalliques de connexion de mesure (16, 18) sont reliés au circuit de mesure de courant (13). Les ensembles transistors de puissance connus présentent uniquement une protection contre les surintensités de fiabilité limitée. Selon l'invention, en plus du premier et du deuxième fil métallique de connexion de mesure (16, 18), un troisième fil métallique de connexion de mesure (21) est raccordé en aval de la deuxième extrémité (19) du fil métallique de connexion de source (15), ce troisième fil métallique de connexion de mesure (21) étant également relié au circuit de mesure de courant (13). Ainsi, la charge de grille peut être déterminée indépendamment du courant circulant dans le fil métallique de connexion de source (15), ce qui permet d'améliorer la protection contre les surintensités pour le transistor de puissance (12).