Al BONDING WIRE

• Main Authors: HAIBARA, Teruo, NISHIBAYASHI, Akihito, ETO, Motoki, OYAMADA, Tetsuya, YAMADA, Takashi, ODA, Daizo, KOBAYASHI, Takayuki, UNO, Tomohiro
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 17.09.2020
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Provided is an Al bonding wire with which sufficient bond reliability can be obtained at bonding wire bond portions in high temperature states at which a semiconductor device using the Al bonding wire is operated. The Al bonding wire is characterized in that: the Al bonding wire comprises Al or an Al alloy; the average crystal grain size in a core material cross section in the direction perpendicular to the wire axis is 0.01-50μm; and a crystal orientation angled at 15° or less with respect to the longitudinal direction of the wire makes up a proportion of 30-90% of crystal orientations in the wire longitudinal direction according to the results of crystal orientation measurements performed on a core material cross section in the direction perpendicular to the wire axis. L'invention concerne un fil de connexion en Al au moyen duquel il est possible d'obtenir une fiabilité de connexion suffisante au niveau de parties de connexion de fil de connexion dans des états de haute température dans lesquels un dispositif à semi-conducteur est mis en œuvre au moyen du fil de connexion en Al. Le fil de connexion en Al est caractérisé en ce que : le fil de connexion en Al comprend de l'Al ou un alliage d'Al; la taille moyenne de grain cristallin dans une section transversale de matériau d'âme dans la direction perpendiculaire à l'axe de fil s'inscrit dans la plage de 0,01 à 50 µm; et une orientation cristalline formant un angle inférieur ou égal à 15° avec la direction longitudinale du fil constitue une proportion de 30 à 90 % d'orientations cristallines dans la direction longitudinale du fil conformément aux résultats de mesures d'orientation cristalline effectuées sur une section transversale de matériau d'âme dans la direction perpendiculaire à l'axe du fil. Ａｌボンディングワイヤを用いた半導体装置を作動した高温状態において、ボンディングワイヤの接合部の接合信頼性が十分に得られるＡｌボンディングワイヤを提供する。該Ａｌボンディングワイヤは、Ａｌ又はＡｌ合金からなり、ワイヤ軸に垂直方向の芯材断面における平均結晶粒径が０．０１～５０μｍであり、ワイヤ軸に垂直方向の芯材断面に対して結晶方位を測定した結果において、ワイヤ長手方向の結晶方位のうち、ワイヤ長手方向に対して角度差が１５°以下である結晶方位＜１１１＞の方位比率が３０～９０％であることを特徴とする。