BONDED SUBSTRATE

• Main Authors: MASUDA Izumi, EBIGASE Takashi
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 17.09.2020
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS; PRINTED CIRCUITS; SEMICONDUCTOR DEVICES

The purpose of the present invention is to improve the electrically insulating properties between adjacent copper plates while inhibiting the occurrence of defects in a bonded substrate caused by concentration of stress at an end section of a copper plate. The present invention provides a bonded substrate comprising a silicon nitride ceramic substrate, a copper plate, and a bonding layer. The copper plate and the bonding layer are disposed on the silicon nitride ceramic substrate. The bonding layer bonds the copper plate onto the silicon nitride ceramic substrate. The bonding layer is provided with an inter-plate part located between the silicon nitride ceramic substrate and the copper plate, and a protruding part that protrudes from between the silicon nitride ceramic substrate and the copper plate. The protruding part covers the silicon nitride ceramic substrate so as to prevent the silicon nitride ceramic substrate from being exposed. Le but de la présente invention est d'améliorer les propriétés d'isolation électrique entre des plaques de cuivre adjacentes tout en inhibant l'apparition de défauts dans un substrat lié provoqués par une concentration de contrainte au niveau d'une section d'extrémité d'une plaque de cuivre. La présente invention concerne un substrat lié qui comprend un substrat en céramique de nitrure de silicium, une plaque de cuivre et une couche de liaison. La plaque de cuivre et la couche de liaison sont disposées sur le substrat en céramique de nitrure de silicium. La couche de liaison lie la plaque de cuivre sur le substrat en céramique de nitrure de silicium. La couche de liaison est pourvue d'une partie inter-plaque située entre le substrat en céramique de nitrure de silicium et la plaque de cuivre, et d'une partie en saillie qui fait saillie entre le substrat en céramique de nitrure de silicium et la plaque de cuivre. La partie en saillie recouvre le substrat en céramique de nitrure de silicium de façon à empêcher le substrat en céramique de nitrure de silicium d'être exposé. 銅板の端部への応力の集中に起因する接合基板の不良を抑制しながら、隣接する銅板の間の電気絶縁性を向上する。接合基板は、窒化ケイ素セラミックス基板、銅板及び接合層を備える。銅板及び接合層は、窒化ケイ素セラミックス基板上に配置される。接合層は、銅板を窒化ケイ素セラミックス基板に接合する。接合層は、窒化ケイ素セラミックス基板と銅板との間にある板間部、及び窒化ケイ素セラミックス基板と銅板との間からはみ出すはみ出し部を備える。はみ出し部は、窒化ケイ素セラミックス基板を露出させないように窒化ケイ素セラミックス基板を覆う。