SiC SUBSTRATE MANUFACTURING METHOD AND MANUFACTURING DEVICE, AND METHOD FOR REDUCING WORK-AFFECTED LAYER IN SiC SUBSTRATE

• Main Authors: AOKI, Kazufumi, KANEKO, Tadaaki, YOSHIDA, Natsuki
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 10.09.2020
• Subjects: AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR; CHEMISTRY; CRYSTAL GROWTH; METALLURGY; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; SINGLE-CRYSTAL-GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL

The present invention addresses the problem of providing method and device for manufacturing a SiC substrate in which the occurrence of a work-affected layer is reduced. The present invention also addresses the problem of providing a method and device for manufacturing a SiC substrate from which a work-affected layer is removed. The present invention is characterized by comprising: a main container 20 which can accommodate a SiC substrate 10 and which generates, by heating, a vapor pressure of a vapor-phase species including elemental Si and a vapor-phase species including elemental C in an internal space; and a heating furnace 30 for accommodating the main container 20, generating a vapor pressure of the vapor-phase species including elemental Si in the internal space, and heating so that a temperature gradient is formed; the main container 20 having an etching space S1 formed by causing a portion of the main container 20 disposed on the low-temperature side of the temperature gradient and the SiC substrate 10 to face each other in a state in which the SiC substrate is disposed on the high-temperature side of the temperature gradient. La présente invention aborde le problème de fourniture d'un procédé et d'un dispositif de fabrication d'un substrat de SiC au cours desquels l'apparition d'une couche affectée lors du façonnage est réduite. La présente invention aborde également le problème de la fourniture d'un procédé et d'un dispositif de fabrication d'un substrat de SiC desquels une couche affectée lors du façonnage est supprimée. La présente invention est caractérisée en ce qu'elle comprend : un récipient principal (20) qui peut recevoir un substrat de SiC (10) et qui génère, par chauffage, une pression de vapeur d'une espèce en phase vapeur comprenant du Si élémentaire et une espèce en phase vapeur comprenant du C élémentaire dans un espace interne; et un four de chauffage (30) destiné à recevoir le récipient principal (20), à générer une pression de vapeur de l'espèce en phase vapeur comprenant du Si élémentaire dans l'espace interne, et à chauffer de sorte qu'un gradient de température soit formé; le récipient principal (20) comportant un espace de gravure (S1) formé en amenant une partie du récipient principal (20) disposée du côté basse température du gradient de température et le substrat de SiC (10) à se faire face dans un état dans lequel le substrat de SiC est disposé du côté haute température du gradient de température. 加工変質層が低減されたＳｉＣ基板の製造方法及びその製造装置を提供することを課題とする。また、加工変質層が除去されたＳｉＣ基板の製造方法及びその製造装置を提供することを課題とする　ＳｉＣ基板１０を収容可能で、加熱によりＳｉ元素を含む気相種及びＣ元素を含む気相種の蒸気圧を内部空間に発生させる本体容器２０と、前記本体容器２０を収容し、Ｓｉ元素を含む気相種の蒸気圧を内部空間に発生させるとともに温度勾配が形成されるように加熱する加熱炉３０と、を備え、前記本体容器２０は、前記ＳｉＣ基板が前記温度勾配の高温側に配置された状態で、前記温度勾配の低温側に配置される前記本体容器２０の一部と、前記ＳｉＣ基板１０とを相対させることで形成されるエッチング空間Ｓ１を有することを特徴とする。