HIGH-FREQUENCY SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Author: FUKUDA, Eri
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 10.09.2020
• Subjects: AMPLIFIERS; BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY; ELECTRICITY

A high-frequency semiconductor device according to the present invention comprises: a semiconductor element which has an input terminal to which high-frequency power is input, an output terminal connected to an external load, and an output electrode whose output impedance is capacitive in a predetermined frequency band in which the high-frequency semiconductor device is used; a first output matching circuit which has one end connected to the output electrode of the semiconductor element, and has an electrical length in which the angle of a reflection coefficient when the semiconductor element is viewed from the other end is 175-185 degrees at the center frequency of the predetermined frequency band; a second output matching circuit which has one end connected to the other end of the first output matching circuit, has capacitive impedance at a frequency higher than the center frequency of the predetermined frequency band, and has inductive impedance at a lower frequency; and a third output matching circuit which has one end connected to the other end of the first output matching circuit and the other end connected to the output terminal of the semiconductor element, and matches the other end of the first output matching circuit and the external load. Un dispositif semi-conducteur haute fréquence selon la présente invention comprend : un élément semi-conducteur qui a une borne d'entrée au niveau de laquelle une puissance haute fréquence est entrée, une borne de sortie connectée à une charge externe, et une électrode de sortie dont l'impédance de sortie est capacitive dans une bande de fréquence prédéterminée dans laquelle le dispositif semi-conducteur haute fréquence est utilisé ; un premier circuit d'adaptation de sortie qui a une extrémité connectée à l'électrode de sortie de l'élément semi-conducteur, et a une longueur électrique dans laquelle l'angle d'un coefficient de réflexion lorsque l'élément semi-conducteur est vu depuis l'autre extrémité est de 175-185 degrés à la fréquence centrale de la bande de fréquence prédéterminée ; un second circuit d'adaptation de sortie qui a une extrémité connectée à l'autre extrémité du premier circuit d'adaptation de sortie, a une impédance capacitive à une fréquence supérieure à la fréquence centrale de la bande de fréquence prédéterminée, et a une impédance inductive à une fréquence inférieure ; et un troisième circuit d'adaptation de sortie qui a une extrémité connectée à l'autre extrémité du premier circuit d'adaptation de sortie et l'autre extrémité connectée à la borne de sortie de l'élément semi-conducteur, et adapte l'autre extrémité du premier circuit d'adaptation de sortie et la charge externe. 本発明に係る高周波半導体装置は、高周波電力が入力される入力端子と、外部負荷に接続される出力端子と、高周波半導体装置が使用される所定の周波数帯域において出力インピーダンスが容量性である出力電極を有した半導体素子と、一端が半導体素子の出力電極に接続され、他端から半導体素子を見こんだ反射係数の角度が、所定の周波数帯域の中心周波数において、１７５度以上１８５度以下となる電気長を有した第１の出力整合回路と、所定の周波数帯域の中心周波数より高い周波数において容量性のインピーダンスを有し、低い周波数において誘導性のインピーダンスを有する第１の出力整合回路の他端に一端が接続された第２の出力整合回路と、第１の出力整合回路の他端に一端が接続され、他端が半導体素子の出力端子に接続された、第１の出力整合回路の他端及び外部負荷を整合する第３の出力整合回路と、を備える。