METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE, SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND PROGRAM

• Main Authors: MINAMI Masayoshi, OTANI Shogo, HASHIMOTO Yoshitomo, HARADA Kazuhiro, KOGURA Shintaro
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 10.09.2020
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The present invention comprises: (a) a step wherein a substrate, in which a conductive metal element-containing film is exposed in the surface, is carried into a processing chamber at a first temperature; (b) a step wherein a reducing gas is supplied to the substrate within the processing chamber, while heating the substrate to a second temperature that is higher than the first temperature; (c) a step wherein a first film is formed on the metal element-containing film by supplying a first processing gas, which does not contain an oxidizing gas, to the substrate within the processing chamber at the second temperature, said first film containing silicon and at least one of nitrogen and carbon, but not containing oxygen; and (d) a step wherein a second film is formed on the first film by supplying a second processing gas, which contains an oxidizing gas, to the substrate within the processing chamber at a third temperature that is higher than the first temperature, said second film containing silicon, oxygen, carbon and nitrogen and being thicker than the first film. La présente invention comprend : (a) une étape dans laquelle un substrat, dans lequel un film contenant un élément métallique conducteur est exposé dans la surface, est transporté dans une chambre de traitement à une première température ; (b) une étape dans laquelle un gaz réducteur est fourni au substrat à l'intérieur de la chambre de traitement, tout en chauffant le substrat à une seconde température qui est supérieure à la première température ; (c) une étape dans laquelle un premier film est formé sur le film contenant un élément métallique en fournissant un premier gaz de traitement, qui ne contient pas de gaz oxydant, au substrat à l'intérieur de la chambre de traitement à la seconde température, ledit premier film contenant du silicium et au moins un élément parmi l'azote et le carbone, mais ne contenant pas d'oxygène ; et (d) une étape dans laquelle un second film est formé sur le premier film en fournissant un second gaz de traitement, qui contient un gaz oxydant, au substrat à l'intérieur de la chambre de traitement à une troisième température qui est supérieure à la première température, ledit second film contenant du silicium, de l'oxygène, du carbone et de l'azote et étant plus épais que le premier film. （ａ）表面に導電性の金属元素含有膜が露出した基板を、第１温度下で処理室内へ搬入する工程と、（ｂ）処理室内において、基板を第１温度よりも高い第２温度まで昇温させつつ、基板に対して還元ガスを供給する工程と、（ｃ）処理室内において、第２温度下で、基板に対して酸化ガス非含有の第１処理ガスを供給することで、金属元素含有膜上に、シリコンと、窒素および炭素のうち少なくともいずれかと、を含み酸素非含有の第１膜を形成する工程と、（ｄ）処理室内において、第１温度よりも高い第３温度下で、基板に対して酸化ガスを含む第２処理ガスを供給することで、第１膜上に、シリコン、酸素、炭素、および窒素を含む第２膜を第１膜よりも厚く形成する工程と、を有する。