SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND ELECTRONIC INSTRUMENT

• Main Authors: TAKACHI, Taizo, OOKA, Yutaka, YAMAMOTO, Yuichi
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 27.08.2020
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION; SEMICONDUCTOR DEVICES

The present invention suppresses a reduction in image quality. This solid-state imaging device of an embodiment comprises: a semiconductor substrate (131) that comprises a light-receiving element; an on-chip lens (132) that is placed on a first surface of the semiconductor substrate; a resin layer (133) that covers the on-chip lens; and a glass substrate (134) that is placed on the first surface side of the semiconductor substrate, separated from the resin layer. La présente invention supprime une réduction de la qualité d'image. Ce dispositif d'imagerie à semi-conducteurs d'un mode de réalisation comprend : un substrat semi-conducteur (131) qui comprend un élément de réception de lumière ; une lentille sur puce (132) qui est placée sur une première surface du substrat semi-conducteur ; une couche de résine (133) qui recouvre la lentille sur puce ; et un substrat en verre (134) qui est placé sur le premier côté de surface du substrat semi-conducteur, séparé de la couche de résine. 画質の低下を抑制する。実施形態に係る固体撮像装置は、受光素子を備える半導体基板（１３１）と、前記半導体基板の第１面に配置されたオンチップレンズ（１３２）と、前記オンチップレンズを覆う樹脂層（１３３）と、前記半導体基板の前記第１面側に前記樹脂層と離間して配置されたガラス基板（１３４）とを備える。