VIBRATING POWER GENERATION ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD FOR VIBRATING POWER GENERATION ELEMENT

• Main Authors: ASHIZAWA, Hisayuki, MITSUYA, Hiroyuki
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 27.08.2020
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES ORLIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER; ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; GENERATION; MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICALDEVICES; MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY; PERFORMING OPERATIONS; PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTUREOR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS; TRANSPORTING

A vibrating power generation element formed by processing a substrate that has a first Si layer and a second Si layer provided via an insulating layer. The vibrating power generation element comprises: a fixed electrode formed on the first Si layer; and a movable electrode formed on the second Si layer, facing the fixed electrode via a gap formed in the insulating layer, and being movable relative to the fixed electrode. L'invention concerne un élément de génération de puissance de vibration formé par un traitement d'un substrat qui comporte une première couche de Si et une seconde couche de Si disposées de part et d'autre d'une couche isolante. L'élément de génération de puissance de vibration comprend : une électrode fixe formée sur la première couche de Si ; et une électrode mobile formée sur la seconde couche de Si, faisant face à l'électrode fixe par le biais d'un espace formé dans la couche isolante, et étant mobile par rapport à l'électrode fixe. 絶縁層を介して第１Ｓｉ層と第２Ｓｉ層とが設けられた基板を加工して形成される振動発電素子は、前記第１Ｓｉ層に形成された固定電極と、前記第２Ｓｉ層に形成され、前記絶縁層に形成されたギャップ空間を介して前記固定電極と対向し、前記固定電極に対して相対移動する可動電極とを備える。