SPUTTERING FILM FORMING APPARATUS, SPUTTERING FILM FORMING METHOD THEREFOR, AND COMPOUND THIN FILM

• Main Authors: NAGAE, Ekishu, SUGAWARA, Takuya, INASE, Yosuke
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 27.08.2020
• Subjects: CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

The present application discloses a sputtering film forming apparatus comprising: a vacuum container having an exhaust mechanism; a substrate holding means capable of holding a plurality of substrates; and a sputtering area and a reaction area located inside the vacuum container and spatially separated from each other, wherein in the sputtering area, a sputtered substance is formed on the substrate by a sputtering target material, and in the reaction area, two or more kinds of reaction gases are introduced to generate plasma and a compound thin film including at least four elements is formed using interaction of ions in the plasma with the sputtered substance. The sputtering film forming apparatus is for facilitating the formation of a thin film of a desired material, no limitation is placed by the compound materials when forming a compound thin film including four or more elements, and at the same time, the film formation efficiency is high and the apparatus has very good utility value. La présente invention concerne un appareil de formation de film par pulvérisation comprenant : un récipient sous vide ayant un mécanisme d'échappement; un moyen de support de substrat apte à supporter une pluralité de substrats; et une zone de pulvérisation et une zone de réaction situées à l'intérieur du récipient sous vide et séparées spatialement l'une de l'autre, dans la zone de pulvérisation, une substance pulvérisée étant formée sur le substrat par un matériau cible de pulvérisation, et dans la zone de réaction, au moins deux types de gaz de réaction étant introduits pour générer un plasma et un film mince composite comprenant au moins quatre éléments étant formé à l'aide d'une interaction d'ions dans le plasma avec la substance pulvérisée. L'appareil de formation de film par pulvérisation est destiné à faciliter la formation d'un film mince d'un matériau souhaité, aucune limitation n'est fixée par les matériaux composites lors de la formation d'un film mince composite comprenant quatre éléments ou plus et, dans le même temps, l'efficacité de formation de film est élevée et l'appareil a une très bonne valeur d'utilité. 本願は、排気機構を有する真空容器と、複数の基板を保持できる基板保持手段と、前記真空容器の内部に位置し空間的に互いに離間したスパッタリングエリア及び反応エリアと、を備え、前記スパッタリングエリアでは、スパッタリングターゲット材により、基板上にスパッタ物質を形成し、前記反応エリアは、２種以上の反応ガスを導入して当該反応エリアにプラズマを生成し、前記反応エリアでは、プラズマ中のイオンによって、前記スパッタ物質と相互作用して、少なくとも4種の元素を含む化合物薄膜を形成する、スパッタ成膜装置を開示している。当該スパッタ成膜装置は、所望の材料の薄膜を形成しやすくするためのものであり、かつ、4種以上の元素を含む化合物薄膜を形成する際に、化合物材料によって制限されておらず、同時に、成膜効率が高く、非常に良好な応用価値を有する。