THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE WITH LATERALLY PEGGED DIELECTRIC CORES OR A CARBON-DOPED SOURCE CONTACT LAYER AND METHODS FOR MAKING THE SAME

• Main Authors: YUDA, Takashi, HIGASHITANI, Masaaki, TSUTSUMI, Masanori, CUI, Zhixin, FUKANO, Yuji, MAKALA, Raghuveer S, KAKAZU, Manabu, KANAKAMEDALA, Senaka, SAKAKIBARA, Kiyohiko
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 13.08.2020
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A three-dimensional memory device can include a vertical semiconductor channel surrounding a vertical dielectric core. Laterally extending dielectric pegs structurally support the vertical semiconductor channel and the vertical dielectric core. The vertical semiconductor channel may be a single crystalline semiconductor channel. A three-dimensional memory device can include source-level material layers located over a substrate. The source-level material layers can include a lower semiconductor layer, a source contact layer, and an upper semiconductor layer. Carbon atoms in the upper semiconductor layer and optionally the lower semiconductor layer can suppress diffusion of boron atoms into the vertical semiconductor channel. L'invention concerne un dispositif de mémoire tridimensionnel pouvant comprendre un canal semi-conducteur vertical entourant un noyau diélectrique vertical. Des chevilles diélectriques s'étendant latéralement soutiennent structurellement le canal semi-conducteur vertical et le noyau diélectrique vertical. Le canal semi-conducteur vertical peut être un canal semi-conducteur monocristallin. Un dispositif de mémoire tridimensionnel peut comprendre des couches de matériau de niveau source situées sur un substrat. Les couches de matériau de niveau source peuvent comprendre une couche semi-conductrice inférieure, une couche de contact de source et une couche semi-conductrice supérieure. Des atomes de carbone dans la couche semi-conductrice supérieure et éventuellement la couche semi-conductrice inférieure peuvent supprimer la diffusion d'atomes de bore dans le canal semi-conducteur vertical.