INFRARED SENSOR USING CARBON NANOTUBES AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

One purpose of this invention is to provide an infrared sensor having a high TCR value and a method for manufacturing the infrared sensor. This infrared sensor comprises a substrate, a first electrode on the substrate, a second electrode that is on the substrate and is removed from the first electro...

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Main Authors YUGE, Ryota, TANAKA, Tomo, NARITA, Kaoru
Format Patent
LanguageEnglish
French
Japanese
Published 06.08.2020
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Summary:One purpose of this invention is to provide an infrared sensor having a high TCR value and a method for manufacturing the infrared sensor. This infrared sensor comprises a substrate, a first electrode on the substrate, a second electrode that is on the substrate and is removed from the first electrode, and a carbon nanotube layer that is electrically connected to the first electrode and second electrode. The carbon nanotube layer includes more than 66 mass% of semiconductor carbon nanotubes with respect to the total mass of the carbon nanotubes, and 60% or more of the carbon nanotubes included in the carbon nanotube layer have a diameter within the range of 0.6 to 1.5 nm and a length within the range of 100 nm to 5 μm. Un objectif de l'invention est de fournir un capteur infrarouge ayant une valeur de coefficient de température de résistance, TCR, élevée et un procédé de fabrication du capteur infrarouge. Le capteur infrarouge comprend un substrat, une première électrode sur le substrat, une seconde électrode qui est sur le substrat et est retirée de la première électrode, et une couche de nanotubes de carbone qui est électriquement connectée à la première électrode et à la seconde électrode. La couche de nanotubes de carbone inclut plus de 66 % en masse de nanotubes de carbone semi-conducteurs par rapport à la masse totale des nanotubes de carbone, et au moins 60 % des nanotubes de carbone inclus dans la couche de nanotubes de carbone possèdent un diamètre dans la plage de 0,6 à 1,5 nm et une longueur dans la plage de 100 nm à 5 µm. 本発明の目的の一つは、高いTCR値を有する赤外線センサー、及び赤外線センサーの製造方法を提供することである。赤外線センサーは、基板と、前記基板上の第1電極と、前記基板上にあって、前記第1電極から離れている第2電極と、前記第1電極と前記第2電極とに電気的に接続されているカーボンナノチューブ層を備え、前記カーボンナノチューブ層は、半導体型カーボンナノチューブをカーボンナノチューブの総量の66質量%超含み、かつ、カーボンナノチューブ層に含まれるカーボンナノチューブの60%以上が、0.6~1.5nmの範囲の直径、及び100nm~5μmの範囲の長さを有する。
Bibliography:Application Number: WO2020JP01503