SUBSTRATE, SELECTIVE FILM DEPOSITION METHOD, DEPOSITION FILM OF ORGANIC MATTER, AND ORGANIC MATTER

• Main Authors: SHINMEN, Masutaka, YAMAMOTO, Junki, NADANO, Ryo, OKADA, Takuya, MIYAZAKI, Tatsuo
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 16.07.2020
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SEMICONDUCTOR DEVICES; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

This selective film deposition method is characterized in that a film of organic matter represented by general formula (1) is selectively deposited on a substrate having a structure in which both a first surface region, which contains a metal and/or a metal oxide, and a second surface region, which contains a nonmetal inorganic material, are exposed, the film being deposited to a greater extent in the first surface region than on the second surface region. (In general formula (1), N is a nitrogen atom. (In general formula (1), N is a nitrogen atom. R1 is a C1-C30 hydrocarbon group optionally having a heteroatom or halogen atom, R2, R3, R4 and R5 are independently a hydrogen atom or a C1-C10 hydrocarbon group optionally having a heteroatom or a halogen atom. However, in the case of a C3 or higher hydrocarbon group, a branched or cyclic hydrocarbon group is also included.) L'invention concerne un procédé sélectif de dépôt de film qui est caractérisé en ce qu'un film de matière organique représenté par la formule générale (1) est sélectivement déposé sur un substrat ayant une structure dans laquelle une première région de surface qui contient un métal et/ou un oxyde de métal ainsi qu'une seconde région de surface qui contient un matériau inorganique non métallique sont exposées, le film étant déposé dans une plus large mesure dans la première région de surface que dans la seconde région de surface. (Dans la formule générale (1), n est un atome d'azote. Dans la formule générale (1), n est un atome d'azote. R1 représente un groupe hydrocarboné en C1-C30 ayant éventuellement un hétéroatome ou un atome d'halogène, R2, R3, R4 et R5 représentent indépendamment un atome d'hydrogène ou un groupe hydrocarboné en C1-C10 ayant éventuellement un hétéroatome ou un atome d'halogène. Cependant dans le cas d'un groupe hydrocarboné en C3 ou plus, un groupe hydrocarboné ramifié ou cyclique est également inclus.) 本開示の実施形態に係る選択的膜堆積方法は、金属及び金属酸化物のうちの少なくとも１種を含む第一表面領域と、非金属無機材料を含む第二表面領域とが両方とも露出した構造を持つ基板に対して、第二表面領域よりも第一表面領域に、一般式（１）で表される有機物の膜を選択的に堆積させることを特徴とする選択的膜堆積方法である。 （一般式（１）において、Ｎは窒素原子である。Ｒ１は炭素数１～３０のヘテロ原子やハロゲン原子を有していてもよい炭化水素基であり、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素数１～１０のヘテロ原子やハロゲン原子を有していてもよい炭化水素基である。但し、この炭化水素基は、炭素数が３以上の場合にあっては、分岐鎖あるいは環状構造の炭化水素基も含む。）