METHOD FOR MANUFACTURING SINGLE CRYSTAL SILICON INGOT AND SILICON SINGLE CRYSTAL PULLING DEVICE

• Main Authors: SUGIMURA Wataru, SAKAMOTO Hideki
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 25.06.2020
• Subjects: AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR; CHEMISTRY; CRYSTAL GROWTH; METALLURGY; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; SINGLE-CRYSTAL-GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL

Provided is a method for manufacturing a single crystal silicon ingot that makes it possible to manufacture a single crystal silicon ingot having a low carbon concentration with a high yield. This method is characterized by, in a raw material melting step and a crystal growing step, sampling gas in a chamber, measuring intermittently the CO gas concentration in the sampled gas, multiplying the measured CO gas concentration by the flow rate of inert gas supplied into the chamber to calculate the CO gas generation rate, and monitoring the calculated CO gas generation rate. L'invention concerne un procédé de fabrication d'un lingot de silicium monocristallin qui permet de fabriquer un lingot de silicium monocristallin ayant une faible concentration en carbone avec un rendement élevé. Ce procédé est caractérisé par, dans une étape de fusion de matière première et une étape de croissance de cristal, l'échantillonnage de gaz dans une chambre, la mesure par intermittence de la concentration en CO gazeux dans le gaz échantillonné, la multiplication de la concentration en CO gazeux mesurée par le débit de gaz inerte fourni dans la chambre pour calculer le taux de génération de CO gazeux, et la surveillance du taux de génération de CO gazeux calculé. カーボン濃度が低い単結晶シリコンインゴットを高い歩留まりで製造することが可能な単結晶シリコンインゴットの製造方法を提供する。本発明の単結晶シリコンインゴットの製造方法は、原料溶融工程及び結晶育成工程において、チャンバ内のガスを採取し、前記採取したガス中のＣＯガス濃度を間欠的に測定し、測定したＣＯガス濃度に、チャンバ内に供給する不活性ガスの流量を乗ずることにより、ＣＯガス発生レートを算出し、算出した前記ＣＯガス発生レートをモニターすることを特徴とする。