METHOD FOR MANUFACTURING THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: MASUOKA Fujio, HARADA Nozomu, LI Yisuo
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 25.06.2020
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A mask material layer 7 is formed on a semiconductor layer 6. A belt-like mask material layer 8a is formed which has, on a top portion, a belt-like mask material layer 9a that has the same planer shape. Belt-like mask material layers 12aa, 12ab are formed which contact the belt-like mask material layers 7, 8a on both sides thereof and have, on top portions, belt-like mask material layers 15a, 15b which have the same planer shapes. Belt-like mask material layers 16a, 16b are formed which contact the belt-like mask material layers 12aa, 12ab, 15a, 15b on both outer sides thereof and have, on top portions, belt-like mask material layers 17a, 17b which have the same planer shapes. An orthogonal belt-like mask material layer is formed above the belt-like mask material layer 9a in a direction orthogonal to the direction of extension of the belt-like mask material layer 9a in planar view. A semiconductor pillar is formed in a region in which the orthogonal belt-like mask material layer overlaps the belt-like mask material layers 8a, 16a, 16b by etching the semiconductor layer 6. A pillar-like semiconductor device in which the semiconductor pillar has been formed into a channel is thus formed. L'invention concerne une couche de matériau de masque 7 qui est formée sur une couche semi-conductrice 6. Une couche de matériau de masque de type courroie 8a est formée qui a, sur une partie supérieure, une couche de matériau de masque de type courroie 9a qui a la même forme de raboteuse. Des couches de matériau de masque de type courroie 12aa, 12ab sont formées qui entrent en contact avec les couches de matériau de masque de type courroie 7, 8a sur les deux côtés de celles-ci et ont, sur des parties supérieures, des couches de matériau de masque de type courroie 15a, 15b qui ont les mêmes formes de raboteuse. Des couches de matériau de masque de type courroie sont formées, lesquelles sont en contact avec les couches de matériau de masque de type courroie, 15b sur les deux côtés externes de celles-ci et ont, sur des parties supérieures, des couches de matériau de masque de type courroie 17a, 17b qui ont les mêmes formes de raboteuse. Une couche de matériau de masque de type courroie orthogonale est formée au-dessus de la couche de matériau de masque de type courroie 9a dans une direction orthogonale à la direction d'extension de la couche de matériau de masque de type courroie 9a dans une vue en plan. Un pilier semi-conducteur est formé dans une région dans laquelle la couche de matériau de masque de type courroie orthogonale chevauche les couches de matériau de masque de type courroie 8a, 16a, 16b par gravure de la couche semi-conductrice 6. Un dispositif à semi-conducteur de type pilier dans lequel le pilier semi-conducteur a été formé dans un canal est ainsi formé. 半導体層６上に、マスク材料層７を形成する。そして、同じ平面形状を有する帯状マスク材料層９ａを頂部に有する帯状マスク材料層８ａを形成する。そして、帯状マスク材料層７、８ａの両側面に接して、同じ平面形状を有する帯状マスク材料層１５ａ、１５ｂを頂部に有する帯状マスク材料層１２ａａ、１２ａｂを形成する。そして、帯状マスク材料層１２ａａ、１２ａｂ、１５ａ、１５ｂの外側の両側面に接して、同じ平面形状を有する帯状マスク材料層１７ａ、１７ｂを頂部に有する帯状マスク材料層１６ａ、１６ｂを形成する。そして、前記帯状マスク材料層９ａの上方に、平面視において、前記帯状マスク材料層９ａが伸延している方向に直交している方向に、直交帯状マスク材料層を形成する。この直交帯状マスク材料層と、帯状マスク材料層８ａ、１６ａ、１６ｂの重なり領域に、半導体層６のエッチングにより、半導体柱を形成する。そして、この半導体柱をチャネルにした柱状半導体装置を形成する。