MULTIPLE-TOOL PARAMETER SET CONFIGURATION AND MISREGISTRATION MEASUREMENT SYSTEM AND METHOD

• Main Authors: VOLKOVICH, Roie, HERZEL, Eitan
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 18.06.2020
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIRCHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES; MEASURING; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES; TESTING

A multiple-tool parameter set configuration and misregistration measurement system and method useful in the manufacture of semiconductor devices including using a first misregistration metrology tool using a first set of measurement parameters to measure misregistration between at least two layers at multiple sites on a wafer, including a plurality of semiconductor devices, the wafer being selected from a batch of wafers including a plurality of semiconductor devices intended to be identical to corresponding semiconductor devices on all other wafers in the batch of wafers, thereby generating a plurality of first misregistration data sets, using a second misregistration metrology tool using a second set of measurement parameters to measure misregistration between the at least two layers at multiple sites on a wafer selected from the batch of wafers, thereby generating a plurality of second misregistration data sets, selecting an adjusted first set of modeled measurement parameters associated with the first misregistration data sets and an adjusted second set of modeled measurement parameters associated with the second misregistration data sets, thereby generating a matched misregistration data set and thereafter measuring misregistration between at least two layers of at least one additional wafer, selected from the batch of wafers, using at least one of the first misregistration metrology tool using the adjusted first set of modeled measurement parameters and the second misregistration metrology tool using the adjusted second set of modeled measurement parameters. L'invention concerne un système et un procédé de mesure de défaut d'alignement et de configuration d'ensemble de paramètres d'outils multiples utiles dans la fabrication de dispositifs à semi-conducteurs comprenant l'utilisation d'un premier outil de métrologie de défaut d'alignement utilisant un premier ensemble de paramètres de mesure pour mesurer un défaut d'alignement entre au moins deux couches au niveau de multiples sites sur une plaquette, comprenant une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs, la plaquette étant sélectionnée parmi un lot de plaquettes comprenant une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs destinés à être identiques à des dispositifs à semi-conducteurs correspondants sur toutes les autres plaquettes du lot de plaquettes, ce qui permet de générer une pluralité de premiers ensembles de données de défaut d'alignement, l'utilisation d'un second outil de métrologie de défaut d'alignement utilisant un second ensemble de paramètres de mesure pour mesurer un défaut d'alignement entre les deux ou plus couches au niveau de multiples sites sur une plaquette sélectionnée parmi le lot de plaquettes, ce qui permet de générer une pluralité de seconds ensembles de données de défaut d'alignement, la sélection d'un premier ensemble ajusté de paramètres de mesure modélisés associés aux premiers ensembles de données de défaut d'alignement et d'un second ensemble ajusté de paramètres de mesure modélisés associés aux seconds ensembles de données de défaut d'alignement, ce qui permet de générer un ensemble de données de défaut d'alignement correspondant et de mesurer ensuite un défaut d'alignement entre au moins deux couches d'au moins une plaquette supplémentaire, sélectionnée parmi le lot de plaquettes, à l'aide d'au moins l'un parmi le premier outil de métrologie de défaut d'alignement utilisant le premier ensemble ajusté de paramètres de mesure modélisés et le second outil de métrologie de défaut d'alignement utilisant le second ensemble ajusté de paramètres de mesure modélisés.