HEAT TREATMENT METHOD AND HEAT TREATMENT APPARATUS

• Main Author: ITO Yoshio
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 18.06.2020
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

After the processing of a last semiconductor wafer of a preceding lot is completed, when a processing temperature of a subsequent lot is lower than that of the preceding lot and a stable temperature decreases, a dummy wafer is cooled down to room temperature or lower. The cooled dummy wafer is placed on a quartz susceptor inside a processing chamber and the temperature of the susceptor is lowered. The temperature of the susceptor can be quickly lowered to the stable temperature of the subsequent lot by repeatedly cooling the susceptor by a plurality of the dummy wafers. Selon la présente invention, après que le traitement d'une dernière plaquette de semi-conducteur d'un lot précédent est terminé, lorsqu'une température de traitement d'un lot suivant est inférieure à celle du lot précédent et qu'une température stable diminue, une plaquette factice est refroidie à une température inférieure ou égale à la température ambiante. La plaquette factice refroidie est placée sur un suscepteur en quartz à l'intérieur d'une chambre de traitement et la température du suscepteur est abaissée. La température du suscepteur peut être rapidement abaissée à la température stable du lot suivant par refroidissement répété du suscepteur par une pluralité de plaquettes factices. 先行するロットの最後の半導体ウェハーの処理が完了した後、後続ロットの処理温度が先行ロットよりも低くて安定温度が低下する場合にはダミーウェハーを室温以下にまで冷却する。冷却されたダミーウェハーは処理チャンバー内の石英のサセプタに載置され、そのサセプタの温度を降温させる。複数枚のダミーウェハーによって繰り返しサセプタを冷却することにより、サセプタの温度を迅速に後続ロットの安定温度にまで降温させることができる。