FILM STACK OVERLAY IMPROVEMENT FOR 3D NAND APPLICATION

• Main Authors: WANG, Wenjiao, CHICHKANOFF, Gregory Eugene, BENJAMIN RAJ, Daemian Raj, IBRAHIMI, Zakaria, ENSLOW, Kristopher, HAN, Xinhai, ADDEPALLI, Sai Susmita, SRIVASTAVA, Shailendra, ROCHA-ALVAREZ, Juan Carlos, GUNG, Tza-Jing, BAEK, Jonghoon, JORAPUR, Nikhil Sudhindrarao, PADHI, Deenesh, OGATA, Masaki
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 04.06.2020
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS; ELECTRICITY

Embodiments of the disclosure describe an apparatus and a method for depositing a film layer that may have minimum contribution to overlay error after a sequence of deposition and lithographic exposure processes. In one example, a method includes positioning a substrate on a substrate support in a process chamber, and flowing a deposition gas mixture comprising a silicon containing gas and a reacting gas to the process chamber through a showerhead having a convex surface facing the substrate support or a concave surface facing the substrate support in accordance with a stress profile of the substrate. A plasma is formed in the presence of the deposition gas mixture in the process chamber by applying an RF power to multiple coupling points of the showerhead that are symmetrically arranged about a center point of the showerhead. A deposition process is then performed on the substrate. Des modes de réalisation de l'invention concernent un appareil et un procédé pour déposer une couche de film qui peut avoir une contribution minimale à une erreur de recouvrement après une séquence de processus de dépôt et d'exposition lithographique. Dans un exemple, un procédé comprend le positionnement d'un substrat sur un support de substrat dans une chambre de traitement, et l'écoulement d'un mélange gazeux de dépôt comprenant un gaz contenant du silicium et un gaz de réaction dans la chambre de traitement par l'intermédiaire d'une pomme de douche ayant une surface convexe faisant face au support de substrat ou une surface concave faisant face au support de substrat conformément à un profil de contrainte du substrat. Un plasma est formé en présence du mélange de gaz de dépôt dans la chambre de traitement par application d'une puissance RF à de multiples points de couplage de la pomme de douche qui sont disposés symétriquement autour d'un point central de la pomme de douche. Un processus de dépôt est ensuite effectué sur le substrat.