METHOD FOR MANUFACTURING ALUMINUM NITRIDE-BASED TRANSISTOR

• Main Authors: NAM, Ok Hyun, CHOI, Ui Ho
• Format: Patent
• Language: English; French; Korean
• Published: 04.06.2020
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The present invention relates to a method for manufacturing an aluminum nitride-based transistor. An aluminum nitride (AlN)-based HEMT device of the present invention uses an AlN buffer layer, wherein an AlGaN composition variation layer is inserted in the interface of GaN/AlN to remove or inhibit the degree of formation of two-dimensional hole gas (2DHG), to thereby reduce the effect of Coulomb drag in a two-dimensional electron gas (2DEG) layer and improve the mobility of 2DEG. La présente invention concerne un procédé pour fabriquer un transistor à base de nitrure d'aluminium. Un dispositif HEMT à base de nitrure d'aluminium (AlN) selon la présente invention fait appel à une couche tampon d'AlN, une couche de variation de composition d'AlGaN étant insérée à l'interface de GaN/AlN pour éliminer ou inhiber le degré de formation de gaz de trou bidimensionnel (2DHG), afin de réduire ainsi l'effet de traînée de Coulomb dans une couche de gaz d'électrons bidimensionnel (2DEG) et d'améliorer la mobilité du 2DEG. 본 발명은 질화알루미늄 기반 트랜지스터의 제조 방법에 관한 것으로서, 본 발명의 질화알루미늄(AlN) 기반의 HEMT 소자는, AlN 버퍼층을 사용하되 GaN/AlN 계면에 AlGaN 조성변화층을 삽입하여 2DHG(이차원정공가스)의 생성 정도를 제거 또는 억제해 2DEG(이차원전자가스) 층에 쿨롱끌림(Coulomb drag)의 영향을 감소시키고 2DEG(이차원전자가스)의 이동도를 향상시킬 수 있다.