METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Author: SHINOMIYA Keisuke
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 04.06.2020
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

This method for manufacturing a semiconductor device includes a step of forming a resin layer (13) on a bump forming face (2A) of a member with bumps (2) on which a plurality of bumps (22) are formed, and a step of buffing the resin layer (13) to remove the resin layer (13) that covers the surface of the bumps (22). La présente invention concerne un procédé de fabrication de dispositif à semi-conducteurs comprenant : une étape qui consiste à former une couche de résine (13) sur la surface de formation de bossage (2A) d'un élément (2) pourvu de bossages (2) sur lequel ont été formés une pluralité de bossages (22) ; et une étape qui consiste à polir la couche de résine (13) pour éliminer la couche de résine (13) qui recouvre la surface des bossages (22). 複数のバンプ（２２）が形成されているバンプ付部材（２）のバンプ形成面（２Ａ）に樹脂層（１３）を形成する工程と、樹脂層（１３）にバフ研磨を施して、バンプ（２２）の表面を覆っている樹脂層（１３）を除去する工程と、を備える半導体装置の製造方法。