METHOD AND APPARATUS FOR THIN WAFER CARRIER
Embodiments disclosed herein may include an electrostatic chuck (ESC) carrier. In an embodiment, the ESC carrier may comprise a carrier substrate having a first surface and a second surface opposite the first surface. In an embodiment, a first through substrate opening and a second through substrate...
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Format | Patent |
Language | English French |
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28.05.2020
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Summary: | Embodiments disclosed herein may include an electrostatic chuck (ESC) carrier. In an embodiment, the ESC carrier may comprise a carrier substrate having a first surface and a second surface opposite the first surface. In an embodiment, a first through substrate opening and a second through substrate opening may pass through the carrier substrate from the first surface to the second surface. Embodiments may include a first conductor in the first through substrate opening, and a second conductor in the second through substrate opening. In an embodiment, the ESC carrier may further comprise a first electrode over the first surface of the carrier substrate and electrically coupled to the first conductor, and a second electrode over the first surface of the carrier substrate and electrically coupled to the second conductor. In an embodiment, an oxide layer may be formed over the first electrode and the second electrode.
Des modes de réalisation de la présente invention peuvent comprendre un support de mandrin électrostatique (ESC). Selon un mode de réalisation, le support ESC peut comprendre un support de substrat ayant une première surface et une seconde surface en regard de la première surface. Selon un mode de réalisation, une première ouverture de substrat traversante et une seconde ouverture de substrat traversante peuvent passer à travers le substrat de support de la première surface à la seconde surface. Des modes de réalisation peuvent comprendre un premier conducteur dans la première ouverture de substrat traversante, et un second conducteur dans la seconde ouverture de substrat traversante. Dans un mode de réalisation, le support d'ESC peut en outre comprendre une première électrode sur la première surface du substrat de support et couplée électriquement au premier conducteur, et une seconde électrode sur la première surface du substrat de support et couplée électriquement au second conducteur. Selon un mode de réalisation, une couche d'oxyde peut être formée sur la première électrode et la seconde électrode. |
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Bibliography: | Application Number: WO2019US56144 |